Появление - прибор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Пока твой друг восторженно держит тебя за обе руки, ты в безопасности, потому что в этот момент тебе видны обе его. Законы Мерфи (еще...)

Появление - прибор

Cтраница 3


Метод основан на взаимодействии в определенных условиях гамма-квантов с атомными ядрами. Возможность использования этого достижения в химическом анализе уже показана на примере определения олова. Теоретически оправдано применение данного метода для аналитического определения следующих элементов: железа, ни -, келя, цинка, германия, мышьяка, рутения, сурьмы, теллура, иода, ксенона, цезия, гафния, тантала, вольфрама, рения, осмия, иридия, платины, золота, таллия, многих лантаноидов и актиноидов. Можно ожидать появления приборов, в датчиках которых используется высокая чувствительность твердых веществ к неуловимым следовым количествам реагирующих с ними веществ.  [31]

РАН ( г. Санкт-Петербург) состоялось 4 - е Всероссийское Совещание Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы, на котором с успехом были представлены работы по выращиванию высококачественных пленок GaN, выполненные физиками из Уфы. Вследствие значительных технологических трудностей в получении объемных кристаллов GaN, его, как правило, выращивают в виде тонких эпитаксиальных пленок, но и в этом случае возникают проблемы, связанные с выбором подходящей подложки ( ионный радиус - 0 7 А, и параметр решетки GaN значительно меньше, чем у других полупроводниковых соединений III-V), так что прогресс в этом направлении определяется успехами в осуществлении контролируемого гетероэпи-таксиального роста. Научные подходы, развитые учеными из Уфы, основаны на применении методов сканирующей зондовой микроскопии, что позволило наилучшим образом подобрать оптимальную подложку ( SiC) и непосредственно наблюдать на атомном уровне самые начальные стадии зарождения эпитаксиальной пленки GaN и понять, как можно вырастить кристалл с минимальной концентрацией дефектов. И мы еще не раз будем свидетелями неожиданных открытий и появления новых удивительных приборов и устройств в этой стремительно развивающейся области.  [32]

33 Спектр ЯМР Н этанола. Первый спектр высокого разрешения в жидкостях, опубликованный в. Сигналы в спектре ( слева направо относятся к протонам гидроксильной группы, метилено-вым и метильным протонам этанола. [33]

Следующим важным шагом было открытие химического сдвига - величины, которая характеризует электронное окружение рассматриваемого ядра. Информация о частоте сигнала ЯМР дает возможность получить представление об электронном окружении ядра и о структуре химических соединений. Этим спектром была открыта область исследований, известная как ЯМР высокого разрешения в жидкостях. К этой области относится подавляющее большинство всех экспериментов по ЯМР, проводимых в химии, биологии и медицине. Получение изображений с помощью ЯМР ( ЯМР-томография) основано на этом явлении в жидкостях. Однако в данном случае химический сдвиг рассматривается как мешающий фактор, поэтому разрабатываются разнообразные методы, направленные на уменьшение различия в его значениях. Строго говоря, высокое разрешение может быть достигнуто лишь в жидкостях, но с помощью специальных экспериментальных методик может быть получена разнообразная полезная информация и для твердых тел. Недостатком этого метода является его низкая чувствительность. Этот недостаток частично был устранен введением Рихардом Эрнстом в 1966 г. [1.5 ] фурье-спектроскопии и появлением приборов со сверхпроводящим магнитом.  [34]



Страницы:      1    2    3