Появление - проводимость
Cтраница 1
Появление проводимости по внутренней поверхности баллона связано обычно с напылением на нее тонких проводящих пленок цезия и других щелочных металлов в процессе изготовления фотоэлементов. Нестабильность таких напылений, определяемая мшрацией атомов металла и их химическим взаимодействием с газами, выделяющимися из стекла и анода прибора вызывает в свою очередь нестабильность темнового тока, что не дает возможности скомпенсировать его в схеме использования фотоэлемента. [1]
Для появления проводимости ионы, образовавшиеся вследствие диссоциации, должны обладать достаточной подвижностью, что зависит от их размера и характера среды. [2]
При температуре 150 С диэлектрические потери увеличиваются вследствие появления проводимости. [3]
Более того, при очень низких температурах ситуация осложняется появлением проводимости в примесной зоне - явление, природа которого до конца еще не выяснена. Получается так, как будто примесные уровни образуют зону, которая проводит даже при самых низких температурах. Если в образце одновременно имеются примеси п - и р-типа, то легко понять, как осуществляется проводимость за счет движения дырок в частично заполненной зоне. Вообще имеет место следующее: проводимость вместо того, чтобы быстро уменьшаться при низких температурах, как это должно быть, если она пропорциональна концентрации электронов в зоне / проводимости или дырок в валентной зоне, стремится к постоянной величине; коэффициент Холла вместо того чтобы беспрерывно расти по мере понижения температуры, проходит сначала через максимум, а затем снова постепенно падает и достигает при очень низких температурах меньшей постоянной величины. Положение максимума постоянной Холла зависит от концентрации примесей и по мере уменьшения концентрации примеси сдвигается в сторону более низких температур. Джонсон и Ларк-Горовиц [36] составили обзор экспериментальных данных и обсудили возможности их интерпретации. Наличие проводимости в примесной зоне ставит предел величине энергии ионизации Е которая может быть обнаружена при изучении зависимости постоянной Холла и проводимости от температуры. [4]
Чем меньше размеры зерен, тем меньше металла требуется для появления проводимости. [5]
 |
Определения температуры точки росы. [6] |
Затем подается воздух на охлаждение, и таким путем снижается температура поверхности до появления проводимости. Скорость снижения температуры, пока идет нащупывание температуры точки росы, большая. После примерного установления температуры точки росы температура поверхности увеличивается до исчезновения проводимости и вновь начинается снижение температуры поверхности, но уже медленное, ступенями в 1 - 2 С. [7]
 |
Схема верхних эперге - шснно заполненными, а вышележащая зона тических зон в кристалле NaCl. состояний 3sNa оказывается при этом совершенно пустой ( 6. Из изложенных. [8] |
Пожалуй, более понятно можно истолковать этот электронный переход и связанное с ним появление проводимости следующим образом. Но нейтральные состояния этих атомов, которые окружены ионами, не остаются локализованными, а хаотически блуждают по кристаллу, передаваясь от нейтральных атомов к ионам. Эти блуждания нейтральных состояний осуществляются путем перехода электрона от нейтрального атома натрия к какому-либо соседнему иону натрия и путем перехода электрона от какого-либо иона хлора, соседнего с нейтральным хлором, на этот нейтральный атом хлора. Ниже мы специально обсудим ту физическую причину, которая облегчает электронные переходы между атомами или ионами диэлектрической среды. [9]
При расчете основное внимание обращается на величину тока и уровень входного напряжения, необходимого для появления проводимости. [10]
При температурах выше 150 и частотах ниже нескольких сот герц диэлектрические потери очень быстро увеличиваются вследствие появления проводимости. Однако в случае полиэтилентерефталата это объяснение неприменимо. Возможно, что в этом случае проводимость является следствием ионных загрязнений; подтвердить это до настоящего времени не удалось. [11]
 |
Зависимость термоэлектродвижущей силы V2C5 от температуры.| Зависимость термоэлектродвижущей силы Си2О и MoSj от температуры. [12] |
В отдельных случаях, но далеко не всегда, падение а при высоких температурах связано с появлением смешанной проводимости. Такое объяснение, однако, явно не пригодно для примесных полупроводников, в которых ос, вместо того чтобы расти, убывает с понижением температуры. Трудно также допустить, что мы здесь имеем дело с вырожденными электронами. Такой же ход ос наблюдается в германии ниже 30 абс. Как видим, температурный ход ос различен в разных полупроводниках, но всегда стремится к нулю как с приближением к 7 0, так и при 7 - - со. [13]
Подобно тому как близость уровня VM к зоне проводимости способствует отклонению от стехиометрического состава в сторону избытка металла и появлению проводимости - типа, так и близость уровня Vx к валентной зоне должна способствовать накоплению избытка неметалла и возникновению р-проводимости. [15]
Страницы: 1 2 3 4