Появление - емкостный ток
Cтраница 1
Появление емкостного тока связано с образованием на поверхности ртутной капли двойного электрического слоя. [2]
Барьерные емкости эмиттерных переходов являются причиной появления емкостных токов через эти переходы при быстром изменении основного напряжения на тиристоре. Емкостные токи не связаны с инжекцией носителей заряда, поэтому с увеличением скорости изменения основного напряжения включение тиристора должно происходить при напряжениях, больших 6 / вкло ( рис. 5.10), если учитывать только барьерные емкости эмиттерных переходов. [3]
Барьерные емкости эмиттерных переходов являются причиной появления емкостных токов через эти переходы при быстром изменении основного напряжения на тиристоре. Емкостные токи не связаны с инжекцией носителей заряда, поэтому с увеличением скорости изменения основного напряжения включение тиристора должно происходить при напряжениях, больших С / вкло ( рис. 5.10), если учитывать только барьерные емкости эмиттерных переходов. [4]
Баркер и Дженкинс [20] предложили способ, позволяющий устранять появление нежелательных емкостных токов. Если полупериод квадратно-волнового напряжения в несколько раз больше величины произведения RC в уравнении ( 13), то ток заряжения к концу полупериода уменьшается до незначительной величины. Поэтому, проводя замеры токов только в течение короткого отрезка времени в конце каждого полупериода, можно получить производные полярограммы, практически не искаженные емкостным током. [5]
Барьерные емкости эмиттерных переходов при быстром изменении приложенного напряжения вызывают появление емкостных токов через эти переходы. [7]
Поэтому в вольтамперометрии с линейной разверткой потенциала адсорбция или десорбция поверхностно-активных веществ может привести к появлению больших емкостных токов. Потенциал, при котором вещество адсорбируется или десорбируется, характеризуется острым максимумом, который возникает в результате больших изменений дифференциальной емкости, сопровождающих перестройку двойного электрического слоя. Скорость развертки потенциала так же определяет ic, как и дифференциальная емкость, но последняя сильно зависит от присутствия поверхностно-активных веществ. [8]
Изменение размера поверхности электрода при постоянном ю тенциале связано с перетеканием зарядов через границу раздела аз, что вызывает появление емкостных токов. [10]
 |
Измерительная схема для внутреннего электролиза.| Измерительная схема для электрографического анализа.| Схематическое изображение кривых в электросорбционном анализе. [11] |
Электросорбционный анализ основан на измерении изменений емкости двойного слоя CD вследствие адсорбции и десорбции поверхностно-активных веществ и связанного с этим появления емкостного тока. При этом не протекают никакие электрохимические процессы. [12]
 |
Схема измерения сопротивления изоляции при отключенных приемниках. [13] |
Сопротивление изоляции, как правило, должно измеряться на постоянном токе, так как при переменном токе неизбежна дополнительная погрешность, вызываемая появлением емкостных токов, не характеризующих состояния изоляции. [14]
 |
Схема классического полярографа. [15] |
Страницы: 1 2