Появление - коллекторный ток
Cтраница 1
Появление коллекторного тока 77 приводит к уменьшению напряжения на конденсаторе С2, уменьшению базового тока и коэффициента усиления каскада с транзистором Т2, уменьшению выходного переменного напряжения. [1]
Однако появление коллекторного тока при включении транзистора Ti задерживается на некоторый промежуток & ti в связи с конечной скоростью протекания диффузии носителей заряда в базовой области. Через время Д / i появляется прямой коллекторный ток входного транзистора, который затем увеличивается по закону, близкому к экспоненциальному. В результате увеличения коллекторного тока повышается потенциал коллектора. Положительный перепад напряжения через форсирующий конденсатор С передается на базу закрытого выходного транзистора. [2]
Однако появление коллекторного тока при включении транзистора TI задерживается на некоторый промежуток A ti в связи с конечной скоростью протекания диффузии носителей заряда в базовой области. [3]
С появлением коллекторного тока транзистора Т, когда оба транзистора откроются настолько, что общий коэффициент усиления петли положительной обратной связи достигнет единицы, стадия подготовки заканчивается. [4]
С появлением коллекторного тока транзистора Ti, когда оба транзистора открываются настолько, что общий коэффициент усиления петли положительной обратной связи достигает единицы, стадия подготовки заканчивается. [5]
 |
Временные зависимости тока базы и тока коллектора при включении транзистора по схеме с ОБ ( а и распределение носителей в базе транзистора ( б, 114. [6] |
Время; на которое появление коллекторного тока отстает от эмиттерного, называют временем задержки / зд. Это время затрачивается на диффузионное перемещение через базу инжектированных в нее носителей. Следует заметить, что 4д относительно мало и во многих случаях при приближенных расчетах им пренебрегают. [7]
В результате запирания диодов схема в первый момент ( до появления коллекторных токов) представляет собой две независимые ветви, каждая из которых содержит эмиттерный переход соответствующего транзистора. [8]
Таким образом, в результате воздействия запускающего импульса все три транзистора переходят в активный режим. Из-за появления коллекторного тока транзистора Т напряжение на его коллекторе повышается. [9]
Пока напряжение и ток коллектора равны нулю, / Б / э, входное сопротивление мало, базовый ток может быть весьма значительным. При появлении коллекторного тока уменьшается базовый ток, а входное сопротивление возрастает до своей обычной величины. Чем лучше выполняется условие йс Rax тем ближе форма входного тока к синусоиде. [10]
Необходимо отметить, что повышение надежности работы ключевых схем транзисторов путем введения запаса по насыщению и закрытию ухудшает быстродействие этих схем. Например, при выходе транзистора из режима насыщения возникает определенная временная задержка. Это объясняется тем, что после выключения входного базового тока коллекторный ток не будет падать до нуля с такой же скоростью, поскольку неосновные носители, инъектиро-ванные эмиттером в область базы, не испытывают действия ускоряющего поля, а медленно диффундируют к коллектору. Появление выходного коллекторного тока при включении транзистора также задерживается на некоторое время вследствие того, что диффузия носителей через область базы происходит с некоторой конечной скоростью. [11]
Этот импульс выводит транзистор Г2 из режима насыщения. Транзистор Тг переходит в активный режим. Под действие; запускающего импульса коллекторной ток транзистора Т2 уменьшается и напряжение на его коллекторе, а следовательно, и на эмиттере Т3 становится меньше, чем в исходном состоянии. Увеличение отрицательного напряжения на эмиттере Т3 выводит этот транзистор из режима насыщения. Транзистор Т так же, как и транзистор Т2, переходит в активный режим. Уменьшение коллекторного тока транзистора Тз при его дальнейшем запирании призодит к увеличению отрицательного напряжения на коллекторе. Из-за свизи базы Ti с коллектором Т3 через резистивный делитель R5Re напряжение нз базе Ti также получает отрицательное приращение, что приводит к отпиранию транзистора TI. Таким образом, в результате воздействия запускающего импульса все три транзистора переходят в активный режим. Из-за появления коллекторного тока транзистора Ti напряжение на его коллекторе повышается. [12]
Страницы: 1