Cтраница 2
Новым этапом в развитии элементной базы электроники было появление транзистора - полупроводникового прибора, технические характеристики которого значительно превосходили характеристики ламп. С этого времени началось бурное развитие полупроводниковой техники; к 1968 г. было создано более 50 разнообразных типов транзисторов, много типов диодов, тиристоров и других полупроводниковых компонентов. [16]
Для матричных транзисторных схем целесообразно рассматривать неисправности лишь двух типов: исчезновение нужного или появление ненужного транзистора. [17]
Это еще одна иллюстрация к тому, что происходит в физике в последнее время - появление транзистора, лазера, а теперь эти переходы сверхпроводников, практическое значение которых пока еще не раскрыто полностью. Квантовая механика, открытая в 1926 г., имела за своими плечами почти 40 лет развития, когда вдруг внезапно она получила множество реальных практических применений. Как-то сразу появилась возможность крайне деликатно и тонко управлять природой. [18]
Этот тест проверяет 9 неисправностей типа исчезновение транзистора в подматрице И и 22 неисправности типа появление транзистора в подматрице И. По сравнению с X1 в X3 изменился один столбец ( четвертый) и добавлено 5 новых столбцов. [19]
Как спокойно следили мы за мирной эволюцией радиотехники, пока в один прекрасный день 1948 г. появление транзистора не перевернуло все наши представления. [20]
При производстве и эксплуатации ПМВ ( m, q) могут возникать ошибки, следствием которых является исчезновение нужных или появление ненужных транзисторов. Пусть ПМВ задана структурной матрицей Т с т столбцами и q строками. [21]
Если на первом этапе развития электроники ( до 1950 г.) максимальное число элементов в радиоэлектронном устройстве не превышало 1000, то с появлением транзисторов оно возросло на два порядка и стало достигать 100 тыс. Развитие микроэлектроники привело к увеличению этого числа еще на один-два порядка. [22]
Особое место в ряду достижений вычислительной техники занимает появление в 1971 г. микропроцессоров ( МП), разработка и организация промышленного выпуска которых явилась таким же революционным шагом, как в свое время появление транзисторов. Широкие возможности, которые предоставляет разработкам использование МП, их малая себестоимость, компактность и надежность обеспечивают быстрый рост производства и проникновение МП в различные области экономики. [23]
Значительный шаг вперед, пожалуй, самый значительный в области электрических конструктивных элементов за последние десятилетия, сделан открытием в 1948 г. транзисторов. Появление транзисторов вызвало в электротехнике лавину открытий, аналогичную той, которая возникла 50 лет назад с открытием электронных усилительных ламп. [24]
Задолго до появления транзисторов в теории цепей был разработан аппарат для анализа многополюсных схем с помощью матричной алгебры. Описание электронной лампы матрицей эквивалентного четырехполюсника применяется для анализа усилителей в диапазоне высоких и сверхвысоких частот. [25]
При обычно используемых частных методах анализа конкретных приборов, как правило, не возникает затруднений с определением исходных физических параметров. Так, например, для расчета лампового усилителя высокой частоты в качестве физических параметров уже много лет применяют крутизну S, внутреннее сопротивление Ri, межэлектродные емкости Сск, Сса, Сак и др. С появлением транзисторов, параметрических, туннельных и других приборов, в основу которых положены новые физические принципы усиления и преобразования колебаний, были введены новые физические параметры, соответствующие специфике их работы. [26]
Человеческий мозг весит около полутора килограммов и при работе почти не потребляет энергии. В противоположность ему ENIAC, устройство, предположительно в миллион раз менее сложное, весил 30 тонн и для работы требовал 150 киловатт энергии. Появление транзисторов и криотронов ( разновидность ком / г муникативного устройства, в основе работы которого лежит явление сверхпроводимости материалов при низких температурах) привело к уменьшению компьютеров в размерах и снизило их энергоемкость. [27]
С появлением транзисторов различных типов стали возможны новые конфигурации схем усилителей. В биполярном р-п - р - или и-р - n - транзисторе создаются чередующиеся в определенном порядке области с различным видом проводимости, образующие базу, эмиттер и коллектор. Транзистор называется биполярным, поскольку перенос зарядов в нем осуществляется как электронами, так и дырками. В полевых же ( униполярных) транзисторах заряды переносятся носителями одного вида: либо электронами, либо дырками. Полевые транзисторы ( ПТ) имеют три области, называемые затвором, истоком и стоком. В зависимости от вида используемых носителей различают два типа полевых транзисторов: р - и n - канальные. Разным типам транзисторов соответствуют различные характеристики, описываемые более подробно в этом разделе. [28]
Можно было видеть, что процессы на поверхности являются главной причиной дрейфа параметров и поэтому основной причиной постепенных условных отказов. В то же время с самого начала существования биполярных транзисторов, и особенно с момента появления транзисторов повышенной мощности, стали наблюдаться их катастрофические выходы из строя, причины которых не удавалось объяснить. [29]
Струбин-ский в 1863 г. предложил метод использования линии с временным разделением телеграфных каналов с помощью вращающихся распределителей. Но ранее используемые в классической телеграфии идеи и методы нашли широкое применение только на современном этапе развития техники, после появления транзисторов, а позднее-полупроводниковых интегральных схем. [30]