Появление - новый центр - кристаллизация
Cтраница 1
Появление новых центров кристаллизации при любом начальном пересыщении раствора происходит постепенно. [1]
Это явление заключается в появлении новых центров кристаллизации взамен кристаллов, разрушенных при деформировании. Металл переходит вновь в равновесное состояние, из которого он был выведен в процессе деформирования. При этих условиях также исчезают упругие деформации, возникающие в процессе разрушения зерен при деформировании кристаллической решетки. [2]
 |
Нестационарные токи при электролизе. [3] |
Вследствие этого поверхность становится энергетически однородной и активной для появления новых центров кристаллизации и равномерного осаждения металла при последующем катодном импульсе. В этом случае снижаются число дефектов кристаллической решетки и содержание примесей в осадке. [4]
Структура электрохимических осадков зависит от скоростей двух процессов: появления новых центров кристаллизации ( зародышей) и роста их. Мелкокристаллические осадки ( минимальный размер кристаллов не более 10 - 7 м) возникают в том случае, если скорость возникновения центров кристаллизации значительно выше скорости их последующего роста. [5]
К видам контактного зародышеобразования относятся дробление кристаллов в результате соударений, появление новых центров кристаллизации за счет простого трения поверхностей друг о друга без видимого изменения самой поверхности. [6]
При медленном приливании осадителя образование осадка происходит, главным образом, не вследствие появления новых центров кристаллизации, а вследствие увеличения размера ранее образовавшихся кристаллов. Таким образом, при медленном осаждении получается более крупнозернистый осадок, который лучше отфильтровывается. [7]
В кристаллизаторах рассматриваемого типа происходит некоторое истирание и разрушение кристаллов ъ результате соударений с мешалкой и друг с другом. Истирание ведет к появлению новых центров кристаллизации и росту фракции мелких кристаллов, но одновременно происходит и многократная перекристаллизация вещества, освобождение кристаллов от включений маточного раствора и отдельных примесей. [8]
Во многих случаях причины размножения тривиальны: кристалл при введении в раствор был недостаточно хорошо обмыт и на его поверхности присутствовали мелкие кристаллические частицы; кристалл при перемешивании соприкасается со стенками кристаллизатора, лопастями мешалки или соседними кристаллами, вследствие чего образуются мелкие осколки; кристалл при росте растрескивается, что также приводит к возникновению осколков. Внесение кристалла в пересыщенный раствор, даже при его тщательной обмывке и уравнивании температур кристалла и раствора, практически всегда вызывает появление новых центров кристаллизации, в том числе и при малых пересыщениях, - видимо, из-за попадания кристаллообразующих пылинок из воздуха. Именно поэтому затравочные кристаллы всегда вносятся в недосыщенный раствор и лишь затем задается пересыщение. Однако даже при исключении всех перечисленных причин наличие растущего кристалла в пересыщенном растворе увеличивает вероятность запаразичивания. Причины этого истинного размножения кристаллов пока не ясны. [9]
Их присутствие ускоряет зародышеоб-разование, так как работа, необходимая для образования зародыша на поверхности, обычно меньше таковой в объеме раствора. Если частицами твердой фазы являются затравочные кристаллы, то работа, затрачиваемая на образование новых центров кристаллизации, определяется возникновением на гранях этих кристаллов двумерных зародышей. Присутствие в растворе затравки инициирует также появление новых центров кристаллизации в объеме - случай вторичного зародышеобразования. [10]
Сернокислый барий даже при наилучших условиях осаждения образует довольно мелкие кристаллы. Осаждение из нейтральных растворов приводит обычно к образованию чрезвычайно мелких кристаллов, которые проходят даже через плотный фильтр. В сильнокислом и горячем растворе повышается растворимость осадка, что способствует образованию более крупных кристаллов. При медленном приливании осадителя образование осадка происходит, главным образом, не вследствие появления новых центров кристаллизации, а вследствие увеличения размера ранее образовавшихся кристаллов. Таким образом, при медленном осаждении получается более крупнозернистый осадок, который лучше отфильтровывается. [11]
Летучесть растворителя значительно больше летучести растворенного вещества. Для этого, если растворимость неизвестна, оценивают ее хотя бы приблизительно, используя приемы, описанные в § 4.3. Убедившись, что растворимость удовлетворительна, для приготовления насыщенного раствора выдерживают его с избытком вещества при соответствующих температурах в течение 1 - 2 сут ( лучше взбалтывая), после чего осторожно отделяют его от осадка. Полученные таким образом растворы разливаются каждый на 4 часовых стекла примерно равными порциями. К поверхности раствора прикасаются иглой, которую предварительно заражают кристаллизуемым веществом, дотрагиваясь ею до реактива. Затем растворы на стеклах оставляются при той же температуре, при которой насыщались; при этом они прикрываются фильтровальной бумагой. Пара растворов из каждой группы поверх фильтровальной бумаги накрывается, кроме того, куском стекла для резкого замедления испарения. В зависимости от конкретных особенностей раствора ( значения растворимости, скорости испарения), что определяет скорость кристаллизации и число образующихся кристаллов, раствор оставляют на то или иное время, иногда до полного испарения. До окончания периода испарения часовые стекла не следует открывать, переставлять и вообще беспокоить, чтобы не вызвать появления новых центров кристаллизации. Опыты повторяют два-три раза для проверки воспроизводимости результатов. [12]
Страницы: 1