Cтраница 1
Появление второго максимума можно связать с релаксационным процессом, возникающим вследствие наличия зацеплений или кристаллитов. Релаксационные свойства отрезков цепей, расположенных между соседними зацеплениями, могут быть объяснены с помощью модели статистических сегментов, рассмотренной выше. В одной из своих недавних работ Кестнер бд описал поведение цепочки со столь же большим числом боковых дипольных ответвлений, сколько сегментов содержится в основной цепи. [1]
Появление второго максимума можно связать с релаксационным процессом, возникающим вследствие наличия зацеплений или кристаллитов. Релаксационные свойства отрезков цепей, расположенных между соседними зацеплениями, могут быть объяснены с помощью модели статистических сегментов, рассмотренной выше. В одной из своих недавних работ Кестнер 69 описал поведение цепочки со столь же большим числом боковых дипольных ответвлений, сколько сегментов содержится в основной цепи. [2]
Появление второго максимума можно связать с релаксационным процессом, возникающим вследствие наличия зацеплений или кристаллитов. Релаксационные свойства отрезков цепей, расположенных между соседними зацеплениями, могут быть объяснены с помощью модели статистических сегментов, рассмотренной выше. В одной из своих недавних работ Кестнер б9 описал поведение цепочки со столь же большим числом боковых дипольных ответвлений, сколько сегментов содержится в основной цепи. [3]
Появление второго максимума связывают с тем, что при больших деформациях образующаяся текстура и размытие межкристаллических прослоек облегчают объединение смежных зерен в процессе рекристаллизации. [4]
![]() |
Кривые внутреннего трения. [5] |
Появление второго максимума вызывается колебаниями не-мостикового иона кислорода или иона кислорода совместно с ионом щелочного элемента. [6]
![]() |
Зависимость емкости двойного электрического слоя от потенциала электрода в цианистых электролитах серебрения с различным содержанием уни-тиола ( моль / л. [7] |
Появление второго максимума адсорбции при отрицательных потенциалах, как уже отмечалось, обусловлено, вероятно, образованием до-норно-акцепторной связи с участием n - электронов атома серы. Образование подобной связи, как известно [4], происходит в результате переноса электрона с одной из занятой молекулярной орбитали донора на свободную орбиталь акцептора. [8]
![]() |
Фрактограммы ( 8500х изломов сварных соединений Си-УДП Ni-Си при Р 5 МПа, / 20 мин и Т 400 ( а и 500 С ( б. [9] |
Причины появления второго максимума неясны и требуют дальнейших исследований. Одной из причин первоначального накопления изотопа близ контактной поверхности может быть то, что его распространение ограничено толщиной ленты, а проникновение его в медь требует дополнительных энергетических затрат. Помимо этого поры удаляются из приповерхностных областей промежуточного слоя значительно быстрее, чем из его объема. Поэтому изотоп накапливается в плотных приконтактных областях этого слоя, продолжая поступать из рыхлых глубинных слоев. [10]
По-видимому, появление второго максимума является результатом фотохимической деструкции локализованной во вторичной клеточной стенке высокомолекулярной целлюлозы после раскрытия коробочки. [11]
![]() |
Зависимость диэлектрических потерь в системе ПВХ - ДОФ при разных составах от температуры ( частота 3 мГц. О - расчетные значения. ф - измеренные значения. [12] |
Такой подход к пластификации объясняет факт появления второго максимума на кривых температурной зависимости тангенса угла диэлектрических потерь, наблюдавшийся в [277] и других работах. [13]
В докладе Е. А. Чудакова был приведен один из примеров такого химического ускорения пламени - именно появление второго максимума скорости пламени при значительном обогащении смеси, когда, естественно, исключено какое-либо повышение температуры сгорания, но зато значительно повышена интенсивность процесса окисления в ходе сжатия. [14]
С увеличением скорости подачи воздуха происходит перемещение температурного максимума вперед по длине канала, а при больших скоростях наблюдается появление второго максимума температуры уже в другой половине канала. [15]