Появление - электропроводность
Cтраница 2
Однако уже из рис. 1 видно, что при больших степенях заполнения сорбционного объема намечается загиб диэлектрической изотермы в сторону уменьшения диэлектрической проницаемости самого адсорбата в области, близкой к капиллярной конденсации. Измерение диэлектрических свойств при больших адсорбциях представляет известные трудности, связанные с появлением электропроводности. Прежде всего это затрудняет определение статической диэлектрической поницаемости eS ( при очень низких частотах), а именно эта величина дает наиболее правильное пред ставление о процессе поляризации, так как величина е, не зависит от частоты поля, что вытекает из самого смысла этого параметра. [17]
Однако уже из рис. 1 видно, что при больших степенях заполнения сорбционного объема намечается загиб диэлектрической изотермы в сторону уменьшения диэлектрической проницаемости самого адсорбата в области, близкой к капиллярной конденсации. Измерение диэлектрических свойств при больших адсорбциях представляет известные трудности, связанные с появлением электропроводности. Прежде всего это затрудняет определение статической диэлектрической поницаемости 8о ( при очень низких частотах), а именно эта величина дает наиболее правильное пред ставление о процессе поляризации, так как величина е, не зависит от частоты поля, что вытекает из самого смысла этого параметра. [19]
Лампы высокого давления АН6 работают при очень высоких температурах, поэтому необходимо эффективное охлаждение водой или воздухом во избежание плавления кварца. Это влечет за собой ряд трудностей в количественных исследованиях, так как примеси в водопроводной воде могут поглощать часть коротковолнового излучения и вызвать появление электропроводности между электродами, что в свою очередь вызывает нарушения режима работы лампы. [20]
Эти факты и явления электропроводности растворов говорят о том, что электролиты в растворе распадаются, диссоциируют на ионы. Так, кристалл NaCl в растворе дает ион Na1 и ион Cl1, при этом, очевидно, число частиц в растворе удвоится, а наличие зарядов у ионов будет причиной появления электропроводности этих растворов. [21]
Атомные ор-битали, представляющие эту четвертую валентность, объединяются в общую молекулярную орбиталь, охватывающую все атомы углерода. Другими словами, все эти четвертые электроны атомов углерода бегают по всем вершинам шестиугольников. Такая свобода перемещения обобществленных электронов приводит к появлению электропроводности графита вдоль плоскостей. Отметим, что между собой графитовые плоскости связаны слабыми молекулярными силами, что приводит к легкости скольжения плоскостей друг относительно друга. [22]
Если имеются избыточные, внедренные атомы цинка в решетке или если некоторые ионы цинка в регулярных местах решетки заменены примесными ионами более высокой валентности ( такими, как ионы алюминия А12), то примесные уровни появляются много ниже зоны проводимости. В первом случае они возникают из 45-уровней внедренных атомов цинка, а во втором - из уровней валентных электронов ионов примеси. Электроны с примесных уровней термически переходят в зону проводимости, что приводит к появлению электропроводности кристалла. Если эти примеси присутствуют в самом наружном слое, они могут создать состояния Тамма. [23]
Селенид кадмия получают из водных растворов солей кадмия осаждением с помощью H Se. Монокристаллы выращивают из газовой фазы и из расплава под давлением. Получаемый полупроводниковый материал имеет обычно электропроводность п-типа. Избыток селена в соединении приводит к появлению электропроводности р-типа. [24]
По сравнению с щелочными металлами металлы II группы имеют более высокие температуры плавления и большие плотности, что указывает на более прочные связи в металлах. Электропроводность щелочноземельных металлов примерно такая же, как и у щелочных металлов. Этот факт кажется удивительным, так как у этих элементов, имеющих два s - электрона, зона проводимости ( s) заполнена. Высокая электропроводность рассматривается как указание на то, что s - и р-зоны перекрываются с возникновением гибридных уровней, которые являются частично заполненной зоной, что делает возможным появление электропроводности. [25]
Несмотря на упомянутые выше специальные предположения, соотношения (15.8) для g - охватывают все эффекты, которые, как было Доказано, существенны для основных динамо-механизмов, рассмотренных до настоящего времени. Член с у описывает перенос магнитного потока, подобный переносу, связанному со средним движением в радиальном направлении. По своему смыслу он связан с турбулентной магнитной проницаемостью ( см. разд. Эффект эквивалентен появлению анизотропной электропроводности ( см. разд. Наконец, члены с ос ос и ос, связаны с ос-эффектом. [26]
В случае ионного кристалла имеются некоторые интересные возможности. Большая часть возмущения, вносимого свободной поверхностью, связана с изменением электростатического окружения иона при переходе из внутренней части кристалла к поверхности. Если нормально заполненная валентная зона ассоциируется с анионами ( как в случае галогенидов щелочных металлов и некоторых окисных полупроводников n - типа), то возмущение поверхности действует в направлении создания зоны поверхностных состояний с центром, лежащим над центром нормальной анионной зоны. Эта анионная поверхностная зона обычно оказывается совершенно заполненной. И наоборот, для нормально свободной катионной зоны ( зона проводимости) возмущение поверхности действует в направлении создания поверхностной катионной зоны с центром, лежащим ниже обычной катионной зоны. Таким образом, поверхностная электронная структура характеризуется меньшим промежутком между заполненной и вакантной зонами, чем объемная структура. Следовательно, возможно появление собственной поверхностной полупроводниковой электропроводности или, если поверхностные анионная и катионная зоны перекрывают друг друга, то даже металлической поверхностной проводимости. Соответственно этому, гомеополярная связь должна быть более важна в поверхностной области. Очевидно, что эффекты такого рода важно учитывать в теории хемосорбции; заметим, однако, что подобная простая картина анионной и катионной зон не подходит для окислов переходных металлов. [27]
В результате рассмотрения зонной теории твердого тела было установлено, что в полупроводниках при абсолютном нуле валентная зона заполнена электронами, а зона проводимости свободна. С повышением температуры электроны начнут переходить из валентной зоны в зону проводимости. Для переходов электронам требуется дополнительная энергия, равная ширине запрещенной зоны, которую электроны приобретают от тепловых колебаний решетки. Эта вероятность увеличивается с ростом температуры. Среднее значение энергии тепловых колебаний при комнатной температуре не превышает 0 04 эВ, но вследствие флуктуации колебаний в решетке некоторая часть электронов приобретает энергию, равную или большую ширины запрещенной зоны. Переход электронов в зону проводимости сопровождается освобождением энергетических уровней в валентной зоне, и приложение внешнего поля к полупроводнику вызывает появление электропроводности. [28]
При уменьшении длины волны движущегося электрона она может достичь критического значения, определяемого условием X 2rfsin6, где d - расстояние между двумя параллельными плоскостями кристаллической решетки, а 6 - угол падения электрона на такую плоскость. В тех случаях, когда это условие выполняется, волновые функции имеют вид стоячих волн, что означает невозможность поступательного движения электрона с длиной волны, удовлетворяющей этому условию. Можно показать, что, когда X переходит через эти критические значения, энергия электрона претерпевает разрыв. Поэтому для каждого направления движения при увеличении энергии получается чередование разрешенных и запрещенных интервалов энергии. Разрешенные интервалы соответствуют зонам, которые, как указывалось раньше, получаются при расширении энергетических уровней свободных атомов. Очевидно, что если рассматриваемая зона не перекрывается со следующей более высокой зоной ни для одного из направлений движения и целиком заполнена, то электроны образуют в ней замкнутую группу и кристалл является диэлектриком. Однако прекрытие зон для одного направления движения с зонами для другого направления движения может приводить к появлению электропроводности. [29]
Страницы: 1 2