Появление - дефект - упаковка
Cтраница 1
Появление дефекта упаковки приводит к нарушению периодичности поля кристаллической решетки, и поэтому дефекты упаковки вызывают дополнительное рассеяние электронов и фононов. Результатом этих процессов является изменение физических: свойств кристаллов, связанных с переносом электронов или фононов. [1]
О том, что условия подготовки подложки очень сильно влияют на появление дефектов упаковки, свидетельствует такой факт: при промывке подложек в дистиллированной воде, вместо деионизо-ванной, плотность дефектов упаковки увеличивается примерно в 100 раз. [2]
Интерпретируя эти результаты, Мендельсон [26, 61] высказал предположение, что вероятность появления дефектов упаковки определяется кинетикой их зарождения. Поскольку дефекты упаковки возникают при неправильном образовании новых слоев при ориентациях, отличающихся от плоскостей 111, необходима ступенчатая поверхность, причем размеры ступенек должны быть достаточно большими для образования стабильных зародышей. Действительно, при росте на подложках с ориентацией 100 плотность дефектов упаковки мала. Это можно объяснить тем, что плоскости 111 пересекают поверхность под малыми углами и ступеньки типа 111 практически отсутствуют. [3]
При испытаниях на воздухе на начальных стадиях нагружения упругая энергия искажений решетки y - Fe значительно растет в результате интенсивного образования плоских дислокационных скоплений в процессе трансляционного скольжения, а также за счет появления дополнительных дефектов упаковки. Это подтверждается результатами просвечивающей электронной микроскопии дислокационной структуры, проведенной на тонких фольгах, приготовленных из испытанных образцов после проведения всех остальных анализов. Обнаруживаются характерные для стали 18 - 10 ряды дислокационных полос и дефектов упаковки. [4]
По мнению Л. И. Лысака и Б. И. Николина [34] образование Б - фззы происходит по дислокационному механизму, предложенному Зеегером для кобальта, согласно которому перестройка ГЦК решетки ( у) с чередованием плотноупакоранных слоев АВСАВСАВС происходит при движении полудислокаций в каждой второй плоскости ( 111), в результате чего образуется ГПУ структура ( е) с чередованием атомных слоев АВАВАВ. Вследствие малой энергетической разницы между ГЦК и ГПУ модификациями в реальных кристаллах движение частичной дислокации в плотноупакованной решетке приводит к появлению дефектов упаковки. Образование дефекта упаковки описывается как процесс расщепления полной дислокации а / 2 1Ю у в плоскости ( 11) у на две частичные дислокации типа а / 2 112 у, происходящий при снижении темпера. Поэтому считают, что перестройку ГЦК решетки в ГПУ можно рассматривать кик появление дефектов упаковки после каждого второго слоя. [5]
В случае линейного расщепления наибольшее понижение упругой энергии достигается при образовании двух дисклинаций, расположенных на максимальном допустимом расстоянии друг от друга, т.е. на расстоянии, равном длине границы зерна. Расщепление дисклинаций в границах раздела нанокристаллических материалов является эффективным каналом релаксации упругой энергии, оно сопровождается изменением структуры границ раздела ( появлением дефектов упаковки), уменьшает вероятность зарождения микротрещин вблизи границы раздела и стимулирует зернограничную диффузию. [7]
В области Гп 540 - 560 С пленка Ge является по-прежнему наиболее совершенной. Появление дефектов упаковки и малоугловых границ, по-видимому, связано с загрязнениями поверхности подложки и с захватом примесей из остаточной атмосферы молекулярным пучком Се. Таким образом, в исследованном интервале остаточных давлений 10 - 7 - 10 - 8 торр существует оптимальный интервал 7 г, 540 - 560 С, где формируется совершенный слой Се, прилегающий к переходу Се-GaAs. Эта область Тп совпадает с указанной в [7] температурой максимума деформационной податливости германия-550 С. Однако имеющихся данных недостаточно для анализа причин этого совпадения. [8]
 |
Изменение параметров с и а в зависимости от величины кристаллов ( L - размер слоя, Н - высота. [9] |
Особенно много дефектов упаковки возникает при деформации кристаллов графита. Известно [39, 40, 47, 62-64], что при этом содержание ромбоэдрической структуры в графитовом образце возрастает. Ее возникновение, по-видимому, связано с появлением дефектов упаковки. [10]
В пробах графита, очищенных флотацией и химическим способом, присутствует ромбоэдрическая модификация, в то время как после термической очистки образцы полностью состоят из гексагонального графита. Однако после измельчения и в тех, и в других графитах появляется ромбоэдрическая модификация. Возникновение ромбоэдрической модификации в гексагональном графите в результате измельчения следует рассматривать как появление дефекта упаковки. Количественная характеристика этой модификации ( а) может служить мерой нарушений в структуре, возникающих при диспергировании. [11]
Весьма распространенным дефектом в эпитаксиальных пленках являются дефекты упаковки. Они заключаются в том, что целая область может вырасти с ориентацией, несколько отличающейся от ориентации всего эпитаксиального слоя. Возникновение дефектов упаковки может явиться следствием повреждения подложки ( царапины), механических напряжений, посторонних частиц, попавших на подложку перед началом роста пленки. На появление дефектов упаковки сильно влияют условия подготовки поверхности. [12]
По мнению Л. И. Лысака и Б. И. Николина [34] образование Б - фззы происходит по дислокационному механизму, предложенному Зеегером для кобальта, согласно которому перестройка ГЦК решетки ( у) с чередованием плотноупакоранных слоев АВСАВСАВС происходит при движении полудислокаций в каждой второй плоскости ( 111), в результате чего образуется ГПУ структура ( е) с чередованием атомных слоев АВАВАВ. Вследствие малой энергетической разницы между ГЦК и ГПУ модификациями в реальных кристаллах движение частичной дислокации в плотноупакованной решетке приводит к появлению дефектов упаковки. Образование дефекта упаковки описывается как процесс расщепления полной дислокации а / 2 1Ю у в плоскости ( 11) у на две частичные дислокации типа а / 2 112 у, происходящий при снижении темпера. Поэтому считают, что перестройку ГЦК решетки в ГПУ можно рассматривать кик появление дефектов упаковки после каждого второго слоя. [13]
При автоэпитаксии дефектность структуры эпитаксиального слоя определяется структурным совершенством подложки и качеством ее поверхности. С увеличением шероховатости поверхности подложки плотность дислокаций в эпитаксиальном слое возрастает. Качество поверхности подложек из разлагающихся полупроводниковых соединений ухудшается в результате термической диссоциации, происходящей при нагреве подложки до высоких температур. Образующиеся вследствие этого на поверхности подложки ямки, заполненные легкоплавким компонентом, вызывают появление дефектов упаковки и дислокаций. Тем не менее при автоэпитаксии плотность дислокаций в эпитаксиальном слое примерно соответствует ее плотности в подложке. Поэтому получение эпитаксиальных слоев с совершенной структурой требует использования подложек с такой же структурой. [14]
Рентгеновские данные показали [47], что сера оказывает большое влияние на внутреннее строение осадков никеля; дифракционные картины характеризуются наличием размытых линий, ширина которых возрастает с увеличением содержания серы. Так, при содержании серы 5 % осадки имеют кристаллическое строение, период решетки уменьшается на 0 04 % по сравнению со значением для никеля; при содержании серы яй 9 % на рентгенограммах зафиксировано гало. Формирование осадков с серой, являющихся одной из форм осадков неявно кристаллического типа, связано с протеканием в зоне кристаллизации химической реакции приводящей к включению серы. После термообработки осадков при температуре 400 - 450 С выявлены фаза никеля и соединение Ni8S2; это подтверждают результаты термографических исследований. Рассчитаны истинные и эффективные размеры областей когерентного рассеяния, относительные микронапряжения кристаллической решетки, вероятность появления дефектов упаковки деформационного и двойникового типа, плотность дислокаций. Выявлено, что указанные добавки уменьшают размеры блоков в 2 - 4 раза, резко увеличивают концентрацию дефектов упаковки и плотность дислокаций. Исследователи объясняют эти изменения протеканием на электроде химических превращений с выделением серы, которая входит в решетку никеля или образует сульфиды. [15]
Страницы: 1 2