Cтраница 2
При учете ионов SF - корреляция значительно улучшается. Поскольку при пробое преобладают электроны с высокой энергией, то весьма вероятно, что электрическая прочность SF6 связана с образованием ионов SFj. Высокая электрическая прочность СС14 также может быть обусловлена тем, что ионы С1 - образуются в широком диапазоне энергий электронов. Действительно, более детальный анализ всех кривых появления показывает, что потенциалы появления и диапазоны прилипания электронов влияют на электрическую прочность. Хотя ранее сообщалось [7], что в CF4 и CF3C1 образуются отрицательные ионы в небольшом количестве, авторы настоящей работы не смогли их обнаружить. [16]
Для того чтобы измерить образование отрицательных ионов в газе, необходимо знать распределение по энергиям используемых электронов. В обычном масс-спектрометре ширина распределения электронов по энергиям составляет примерно 2 в. Это распределение обусловлено тепловым разбросом электронов, эмиттируемых катодом, падением напряжения на катоде, накаливаемом непосредственно током, контактными потенциалами, объемным зарядом и неэквипотенциальностью пространства, через которое проходит пучок электронов. Если предположить, что это распределение электронов по энергиям приблизительно соответствует распределению, имеющему место в газе перед электрическим пробоем при высоком давлении, то площади снятых на масс-спектрометре кривых появления отрицательных ионов могут служить мерой эффективности газа как губителя электронов. Сделав такое предположение, мы составили табл. 2, в одном из столбцов которой приведено отношение площади кривых отрицательных ионов к площади кривой ионов SF -, зарегистрированных при том же давлении. В этой же таблице указаны электрические прочности различных газов по отношению к азоту. Относительные площади кривых в таблице учитывают все изотопные ионы, хотя кривые появления регистрировались лишь для одного изотопа. Площади вычислялись лишь для одного типа ионов в каждом веществе, но они представляют основную часть сечения образования отрицательных ионов при низких энергиях электронов. Это не относится только к ионам, образующимся с большой начальной кинетической энергией. [17]
Для изучения ионизации гелия и ксенона электронами определенной энергии был использован масс-спектрометр. Особое внимание было обращено на исследование зависимости выхода многозарядных ионов от энергии электронов вблизи порога. При исследовании ионизации 3Не была определена вероятность образования двух-зарядных ионов. При исследовании ионизации ксенона были определены относительные сечения образования различных многозарядных ионов ( заряд до семи) и исследованы зависимости этих сечений от энергии электронов. Обсуждены результаты исследования кривых зависимости вероятности ионизации от энергии электронов ( кривых появления) и проведено их сравнение с ожидаемыми результатами. [18]
Для того чтобы измерить образование отрицательных ионов в газе, необходимо знать распределение по энергиям используемых электронов. В обычном масс-спектрометре ширина распределения электронов по энергиям составляет примерно 2 в. Это распределение обусловлено тепловым разбросом электронов, эмиттируемых катодом, падением напряжения на катоде, накаливаемом непосредственно током, контактными потенциалами, объемным зарядом и неэквипотенциальностью пространства, через которое проходит пучок электронов. Если предположить, что это распределение электронов по энергиям приблизительно соответствует распределению, имеющему место в газе перед электрическим пробоем при высоком давлении, то площади снятых на масс-спектрометре кривых появления отрицательных ионов могут служить мерой эффективности газа как губителя электронов. Сделав такое предположение, мы составили табл. 2, в одном из столбцов которой приведено отношение площади кривых отрицательных ионов к площади кривой ионов SF -, зарегистрированных при том же давлении. В этой же таблице указаны электрические прочности различных газов по отношению к азоту. Относительные площади кривых в таблице учитывают все изотопные ионы, хотя кривые появления регистрировались лишь для одного изотопа. Площади вычислялись лишь для одного типа ионов в каждом веществе, но они представляют основную часть сечения образования отрицательных ионов при низких энергиях электронов. Это не относится только к ионам, образующимся с большой начальной кинетической энергией. [19]