Cтраница 1
Правила отбора для КР-процессов отличаются от нормальных процессов поглощения или испускания. На первом месте стоит основное правило отбора, согласно которому молекула должна обладать анизотропной поляризуемостью. Смысл этого состоит в следующем. Когда молекула помещена в электрическое поле, она искажается под влиянием сил, которые действуют па электроны и ядра. Степень искажения определяется поляризуемостью молекулы: при высокой поляризуемости даже умеренное поле может вызвать большое искажение. Например, атом ксенона искажается намного легче, чем атом гелия, так как его внешние электроны менее тесно связаны с центральным ядром. [1]
Правила отбора для других точечных групп легко получить подобным образом. [2]
Правила отбора для эффекта Штарка можно вывести подобно тому, как выводятся любые другие правила отбора. Следовательно, если произведение Г / X Г содержит S или П, то переход из состояния i в состояние / должен быть разрешен. [3]
Правила отбора указывают, что вероятность перехода будет наибольшей между соседними уровнями. Затем выделяется электрон с энергией, равной разности между энергией фотона и энергией связывания этого электрона. Оба электрона проникают в атом. Данный процесс, который может повторяться несколько раз, известен под названием кумулятивного эффекта Оже. При этом образуются ионы, несущие несколько положительных зарядов. Следует напомнить, что выход электронов Оже тем больше, чем меньше соответствующая энергия перехода. [4]
Правила отбора для атомных спектров формулируются очень просто. [5]
Правила отбора по проекции момента М различны для разных компонент вектора. [6]
Правила отбора для вращательных переходов в данном колебательном состоянии, например, основном ( рис. 5.2 а), разрешают переходы только между соседними уровнями, так что оптическое возбуждение такого перехода может лишь выравнять заселенности уровней, но не приведет к инверсии заселенностей. Поэтому ДИК-лазеры работают в основном по схеме, представленной на рис. 5.26, когда накачка осуществляется на колебательно-вращательном переходе, а генерация - на вращательных переходах в верхнем и, возможно, нижнем колебательных состояниях. Инверсия заселенностей в возбужденном колебательном состоянии возникает за счет увеличения заселенности верхнего рабочего в лазерном переходе уровня, так что могут возникнуть каскадные переходы типа / - - ( / - 1) - - ( / - 2) - - ( / - 3) - к. В нижнем ( основном) колебательном состоянии инверсия создается за счет обеднения при накачке заселенности нижнего рабочего в лазерном переходе уровня при достаточной тепловой заселенности верхнего рабочего уровня. Понятно, что в возбужденном колебательном состоянии, когда с начала возбуждения до времени заметного развития релаксационных процессов вращательные уровни практически пусты, инверсия заселенностей осуществляется легче, чем в основном состоянии, когда при комнатных температурах имеет место существенное заселение вращательных уровней. По-видимому, большинство наблюденных к настоящему времени лазерных ДИК-переходов относится к вращательным переходам в возбужденных колебательных состояниях. Встречаются, однако, лазерные переходы и в основном колебательном состоянии. Здесь следует заметить, что пока более или менее однозначно интерпретирована лишь малая доля всех реализованных лазерных ДИКнпереходов. Это объясняется прежде всего совершенно недостаточным знанием вращательных спектров и молекулярных констант для возбужденных колебательных состояний. Поэтому среди этих переходов в рассматриваемом диапазоне спектра вполне могут быть и колебательно-вращательные лазерные переходы между различными типами колебаний. [7]
Правила отбора находятся здесь различным образом в зависимости от поведения величины / при обращении времени. [8]
Правила отбора для оптических переходов свободной молекулы, которые определяют, какие переходы могут проявляться в спектре газа, строго говоря, неприменимы к кристаллу. В кристалле действуют правила отбора подгруппы трансляций ( ограничения по Ak) и правила отбора группы волнового вектора. Для переходов с волновым вектором, равным нулю, применимы правила отбора фактор-группы, и если эта группа имеет значительно более низкий порядок, чем группа свободной молекулы, как это обычно имеет место, то многие из переходов, запрещенных в свободных молекулах, становятся разрешенными в кристалле. Типичным примером является переход бензола В2ц - - Aig, запрещенный для точечной группы молекулы D6h, но разрешенный для фактор-группы D2h - Сравнение таблиц характеров показывает, что верхнее состояние В2 группы Овд в случае кристалла дает верхние состояния четырех типов симметрии Аи, Biu, В2и и В3и группы D2ft и что переходы разрешены для трех последних типов симметрии. Вопрос о появлении в спектре переходов, которые разрешены вследствие межмолекулярного взаимодействия в кристалле, и об их интенсивности требует количественного рассмотрения и не может быть решен исходя только из соображений симметрии. На самом деле указанные переходы бензола действительно проявляются в спектре кристалла. [9]
Правила отбора для поглощения света требуют, чтобы для разрешенного перехода начальное и конечное состояния отличались типами трансляционной симметрии. Для группы D2 /, приведенной в табл. 3, это означает, что переходы, начальным состоянием для которых является состояние Ag. Значительный интерес для спектроскопии представляет возможность того, что эти типы симметрии, которые нельзя применить к электронной волновой функции состояния, годятся в случае вибронной волновой функции, представляющей собой сочетание электронной волновой функции и функции неполносимметричного колебания. Таким образом, комбинация электронного состояния типа симметрии В1и с одноквантовым колебанием типа Ь38 дает вибронное состояние симметрии Вы х b3g BZu. Однако если принято приближение Борна - Оппенгеймера, то момент перехода из основного-состояния в это вибронное состояние равен нулю, что соответствует переходу без момента, даже если этот переход формально разрешен. [10]
Правила отбора по полному моменту и по четности являются вполне строгими и должны соблюдаться при излучении любыми системами. Наряду с этими правилами могут существовать я другие, более жесткие, связанные с теми или иными особенностями структуры конкретных излучающих систем. Такие правила неизбежно имеют лишь более или менее приближенный характер; мы рассмотрим их в дальнейших параграфах этой главы. [11]
Правила отбора запрещают электрически-дипольные переходы между зеемаиовскими компонентами одного и того же уровня, поскольку все они обладают одинаковой четностью. По той же причине, которая была указана в конце предыдущего пара-ррафа для переходов между компонентами сверхтонкой структуры уровня, указанные переходы осуществляются как магнит-но-дипольные. [12]
Правила отбора по квантовым числам gev и g для виброиных и ровибронных взаимодействий получаются подобным образом. [13]
Правила отбора для вращательных переходов зависят от ос и совпадают с соответствующими правилами отбора, полученными в гл. [14]
Правила отбора (6.55) справедливы не только для водорода, но и для во-дородоподобных атомов. Отметим, что для многоэлектронных атомов ( отличных от водородоподобных) также можно получить правила отбора, для которых (6.55) являются частным случаем. Они будут подробнее рассмотрены в дальнейшем. [15]