Правила - погасание
Cтраница 1
Правила погасаний для плоскостей скользящего отражения, параллельных другим координатным плоскостям, естественно, аналогичны с соответствующей перестановкой индексов. [1]
Правила погасаний для плоскостей скользящего отражения, параллельных другим координатным плоскостям, естественно, аналогичны соответствующей перестановке индексов. [2]
Правила погасаний для плоскостей скользящего отражения, параллельных другим координатным плоскостям, естественно, аналогичны с соответствующей перестановкой индексов. [3]
Правила погасаний, вызываемые винтовыми осями, можно вывести и формально - таким же способом, каким были выведены правила для непримитивных решеток. [4]
В табл. 13 собраны правила погасаний, характеризующие различные центрированные решетки, а также ромбоэдрические и гексагональные решетки в разных установках. [5]
Известный интерес представляют также правила погасаний в кристаллах различных сингоний, взятых в неправильной установке, не соответствующей третьему правилу Бравэ. Более сложные случаи, возможные в кристаллах, принадлежащих к дифракционным классам 4 / т, 6 / т и 3, как уже указывалось, легко распознаются на более ранних стадиях исследования1 ( стр. [6]
В табл. 14 собраны правила погасаний, соответствующие различным возможным вариантам расположения узлов при двух, трех, четырех и пяти узлах на ячейку. [7]
Вообще говоря, зная индексы отражений, можно найти правила погасаний и определить ( в общем случае - неоднозначно) пространственную группу. Однако по рентгенограммам порошка нельзя, как известно, определить дифракционный класс симметрии. Если, например, кристалл принадлежит к тетрагональной сингонии, то независимо от того, каков его дифракционный класс - 4 / mmm или 4 / т - отражения hkl и khl лягут на одно и то же дебаевское кольцо, так как направления отраженных лучей определяются исключительно размерами ячейки и абсолютными значениями индексов и не зависят от симметрии в пределах данной сингонии. В случае симметрии 4 / mmm плоскости ( hkl) и ( khl) связаны операцией симметрии и поэтому оба отражения идентичны - имеют одинаковую интенсивность. Но в случае симметрии 4 / т эти плоскости не связаны симметрией, и следовательно, на дебаевском кольце накладываются два независимых ( разных по интенсивности) отражения. [8]
Анализируя вид структурной амплитуды для различных пространственных групп, нетрудно получить правила погасания для них, т.е. найти комбинации индексов, которым отвечает нулевое значение FfjhV а значит, и Jhkl - c другой стороны, анализ наблюдающихся систематических погасаний позволяет определить одну из 120 дифракционных групп. Проще всего определяется тип решетки, т.е. присутствие дополнительных трансляций. [9]
 |
Простые и винтовые оси в центрированной решетке.| Зеркальные плоскости и плоскости скользящего отражения, перпендикулярные плоскости базиса центрированной решетки. [10] |
Однако в обоих случаях мы получаем группы, рентгенографически отличимые от тех, которым соответствуют рис. 181, а и 182, а. Правила погасаний здесь иные. В первом случае среди отражений АО / присутствуют только те, которые имеют оба индекса, h и /, четные, во втором случае среди отражений hkQ присутствуют только такие, у которых оба индекса, А и k, являются четными числами. [11]
Вследствие гранецентрированности ячейки, плоскости скользящего отражения с четвертным скольжением вдоль одной диагонали прямоугольника чередуются с плоскостями, имеющими скольжение вдоль другой диагонали. Оба правила погасаний / z / 4n и А - 1 4п всегда должны выполняться одновременно. [12]
В табл. 1 были приведены без доказательств правила, характеризующие численные значения индексов серий угловых сеток в центрированных решетках. На этой основе ( при умножении индексов сеток на порядок отражения п) были получены правила погасаний дифракционных индексов для непримитивных решеток. [13]
I, § 11) были приведены без доказательства правила, характеризующие численные значения индексов серий угловых сеток в центрированных решетках. На этой основе ( при умножении индексов сеток на порядок отражения п) были получены правила погасаний дифракционных индексов для непримитивных решеток. [14]
Установим С-центрированный кристалл в то же положение. В С-центрированной решетке соответствующие лучи оказываются погашенными. Таким образом, сформулированные выше ограничения в значениях индексов hkl можно интерпретировать как правила погасания ( точнее, правила непогасания) лучей, дифрагированных решетками, имеющими дополнительные ( центрирующие) трансляции. [15]
Страницы: 1 2