Правильность - решетка
Cтраница 1
 |
Вольт-ампер - облучения они могут располагаться ная характеристика гер - и среди ячеек решетки, а не только маниевого выпрямителя, в ее узлах, как химически внесенные. [1] |
Правильность решетки нарушается, появляются новые центры рассеяния электронных волн, снижающие подвижность, и появляются новые источники свободных зарядов. [2]
Тепловое движение нарушает правильность решетки, вызывая то сближения, то расхождения ионов и, следовательно, флуктуации электрического поля, охватывающие несколько атомных расстояний. На этих флуктуациях электронные волны рассеиваются, что соответствует изменению количества движения и энергии электронов, рассматриваемых как дискретные частицы. [3]
Тепловое движение нарушает правильность решетки, вызывая то сближения, то расхождения ионов, и, следовательно, флуктуации электрического поля, охватывающие несколько атомных расстояний. На этих флуктуациях электронные волны рассеиваются, что соответствует изменению количества движения, а иногда и энергии электронов, рассматриваемых как дискретные частицы. [4]
Та упрощенная картина нарушений правильности решетки в соответствии с моделью Френкеля-Шоттки, которой мы все время пользовались в ряде конкретных случаев, в том числе и таких простых, как NaCl, вероятно, нуждается в развитии и должна рассматриваться как первое, хотя и в общем очень хорошее, приближение. Дальнейшее покажет эксперимент, который идет от случайного поликристаллического образца к монокристаллу с контролируемым содержанием примесей и плотностью дислокации, а также от графической и весьма приближенной обработки экспериментальных данных к машинному разрешению всех спектров и тщательной оценке статистических параметров. [5]
При отсутствии взаимодействия между разными нарушениями правильности решетки число нарушений каждого типа ( дырки, дислоцированные и предиссоциированные атомы) может быть определено независимо от других из условия минимума той части свободной энергии ( или термодинамического потенциала) кристалла, которая обусловливается их присутствием. [6]
Рассеяние электронных волн происходит только из-за нарушений правильности решетки, например, тепловыми флюктуация-ми атомов или примесями. Сильное селективное рассеяние будет только в том случае, когда соседние атомные плоскости создают синфазные отраженные волны, в результате чего образуется стоячая волна. [7]
 |
Температурная зависимость диффузии ионов и атомов в натрии. [8] |
Но, кроме этого, пластическая деформация создает области нарушений правильности решетки ( дефекты типа Смекала) - трещины и капилляры, диффузия по которым заметно облегчена и которые настолько устойчивы, что исчезают лишь при длительном отжиге образца при дбста-точно высокой температуре. [9]
В соединениях внедрения с полным заполнением междоузлий данного типа указанные нарушения правильности решетки должны отсутствовать, причем узлы и междоузлия могут рассматриваться как узлы кристаллической решетки единой упорядоченной структуры. Если же в Тшлаве внедрения оказываются возможными процессы упорядочения внедренных атомов на междоузлиях, то такие процессы, так же как и в случае упорядочения на узлах, улучшают правильность строения кристаллической решетки юплава, приводя к появлению разнообразных сверхструктур на междоузлиях. [11]
Здесь 1Т зависит от тепловых колебаний решетки, а / н - от нарушений правильности решетки чужеродными атомами или ионами. [12]
Френкеля), так как пустой узел и атом в междоузлии в рамой мере нарушают правильность решетки. [13]
Рост одного зародыша не может оказать никакого влияния на величину удельного электросопротивления, но создание блоков, на границах которых имеется искажение правильности решетки, приведет к значительному изменению электросопротивления, которое будет определяться величиной, формой и степенью искажения кристаллической решетки на их границах. [14]
Заметим, что механическая деформация, если она не представляет собой просто объемного сжатия под действием гидростатического давления, может вызвать изменение внутренней поверхности кристалла, создавая помимо дислокаций нарушения правильности решетки типа дефектов Смекала - трещины и капилляры, диффузия по которым заметно облегчена и которые настолько устойчивы, что исчезают лишь при длительном отжиге образца при достаточно высокой температуре. Таким образом, структура поверхностей раздела и так называемой внутренней поверхности зависит от биографии кристаллического образца, соответствующей большей или меньшей раз-ориентации отдельных участков относительно друг друга. В пластически деформированных ионных кристаллах наблюдается дисперсия электропроводности в зависимости от частоты, что находит себе объяснение в наличии не связанных между собой структурных дефектов в кристаллической решетке. [15]
Страницы: 1 2