Непосредственный анализ

Cтраница 2

Методы непосредственного анализа, в которых высокая чувствительность достигается рациональным выбором источника возбуждения спектра, регистрирующей аппаратуры, аналитической линии, а также способа введения пробы в разряд. [16]

Для непосредственного анализа к анализируемому раствору прибавляют известное количество ( у) радиоактивного изотопа определяемого элемента. Количество радиоизотопа выбирают таким образом, чтобы оно было примерно равно количеству определяемого элемента, поскольку это увеличивает точность определения. [17]

Метод непосредственного анализа тонкой структуры кристаллов при помощи рентгеновских лучей, открытый в 1912 г. Лауэ, позволил приступить к изучению структур реальных силикатных кристаллов. Первые успехи в этом направлении были достигнуты английскими физиками А. [18]

Перед непосредственным анализом газа регулируют нагрев печи до температуры сначала 260 - 270, а затем 850 - 950 С. Оба положения на автотрансформаторе записывают. Указанные температуры необходимо поддерживать в течение 10 - 15 мин. Первую температуру регулируют термометром, а вторую - термопарой. [19]

Методы определения меди в веществах особой чистоты. [20]

При непосредственном анализе солей навеска пробы обычно составляет 0 1 - 1 г, а выделение меди проводят из проб массой 1 - 10 г. При использовании бидистиллята и реактивов особой чистоты содержание меди в холостом растворе составляет 5 - 25 нг, а при вскрытии пробы большими объемами кислот достигает 0 05 - 0 1 мкг. [21]

При непосредственном анализе солей навеска пробы составляет 0 1 - 1 г. Если применять бидистиллят и реактивы особой чистоты, содержание меди в контрольном опыте составит 5 - 10 нг; а при вскрытии пробы большими объемами кислот - 0 05 - 0 1 мкг. Повышение чувствительности определения возможно за счет снижения результата холостого опыта. [22]

При непосредственном анализе руд эталонами служат смеси пустой породы данного геолого-минералогического типа и пятиокисей тантала и ниобия; при анализе концентратов - соответствующие смеси на основе окиси алюминия. [23]

При непосредственном анализе ряда последовательных значений давлений, измеренных в процессе истощения модели пласта, четкого перегиба, соответствующего рнк, не наблюдается. Особенно это относится, как показывает опыт, к случаю исследования смесей с малым потенциальным содержанием тяжелых компонентов. То, что качественного изменения объекта непосредственно по измеренным значениям р не обнаруживается, объясняется наложением на полезный сигнал ошибок измерения и случайных помех. [24]

Важно различать непосредственный анализ следов и анализ, в который включается стадия концентрирования. Первый требует более чувствительных и стабильных приборов, в то время как последний предъявляет к аппаратуре минимальные требования, хотя иногда и требует применения оригинальных методов предварительной подготовки пробы. Ниже рассматриваются оба случая. [25]

Основной вывод непосредственного анализа полей смещений состоит в том, что обогащенные галлием границы способны раскрываться в виде трещин отрыва. Это проявляется в поведении век-горов смещений г при переходе такой границы. Ранее нами установлено [13], что при переходе некоторых границ векторы смеще-аий деформируемого тела могут меняться скачком по модулю и по направлению. При этом меняется тангенциальная по отношению к границе составляющая вектора смещения, а нормальная остается постоянной. [26]

Во многих случаях непосредственный анализ корреляционных 2М - спектров является сложной задачей, и поэтому для уменьшения числа пиков прибегают к методам фильтрации. [27]

Представляет практический интерес непосредственный анализ смеси 9 хлорированных фенолов, проведенный на одной колонке длиной 4 м, наполненной Газ Хромом Р, пропитанным карбовак-сом 20 м ( R. H. Kolloff, L, J. [28]

Кроме того, непосредственный анализ дифракционных картин с поверхности исследуемых кристаллов, полученных методом ДМЭ, показал [381 384], что атомы в поверхностных слоях из-за отсутствия сил межатомной связи с одной стороны существенно смещены от своих нормальных положений в кристаллической решетке. Например, Ханеман [410] получил данные об искажении тетраэдрической симметрии, измеряя дифракцию электронов на чистых поверхностях полупроводников со структурой алмаза и цинковой обманки. [29]

Внешний вид прибора АЗ-3. [30]

Страницы: 1 2 3 4