Cтраница 1
Вакансии углерода характеризуются донорными свойствами, и их концентрация при увеличении содержания доноров должна убывать, что будет приводить к снижению коэффициента самодиффузии углерода. [2]
Отношения коэффициентов.| Зависимость относительного коэффициента диффузии бора от степени гексаго-нальности политипа.| Отношения коэффициентов диффузии бериллия. [3] |
В приповерхностной области диффузия бериллия идет по вакансиям углерода, в объемной части кристалла - значительная доля бериллия диффундирует по междоузлиям в виде двухзарядных ионов Ве 2, что обусловливает большие коэффициенты диффузии и малые энергии активации процесса. Бериллий в междоузлиях карбида кремния обладает донорными свойствами. [4]
Как уже отмечалось, в качестве активного центра зародыше-образования могут рассматриваться вакансии углерода на торцах кристаллитов. Действительно, несложный расчет числа вакансий углерода на единицу торцевой поверхности графита ( с учетом энергии активации диффузии вакансий углерода) дает величину графитового блока 10 - 50 Нм для того, чтобы математическое ожидание наличия 1 - 2 вакансий углерода приближалось к единице. Поэтому можно говорить о двойственной роли процесса графитизации: а) при большой концентрации слабоорганизованного графита нет или мало активных мест для образования алмаза, но возрастут линейные скорости роста алмазов из числа образовавшихся; б) при малых концентрациях слабоорганизованного графита скорость роста алмаза должна возрастать, но одновременно возрастает и рост монокристаллов графита, являющегося конкурирующей фазой. [5]
Как уже отмечалось, в качестве активного центра зародыше-образования могут рассматриваться вакансии углерода на торцах кристаллитов. Действительно, несложный расчет числа вакансий углерода на единицу торцевой поверхности графита ( с учетом энергии активации диффузии вакансий углерода) дает величину графитового блока 10 - 50 Нм для того, чтобы математическое ожидание наличия 1 - 2 вакансий углерода приближалось к единице. Поэтому можно говорить о двойственной роли процесса графитизации: а) при большой концентрации слабоорганизованного графита нет или мало активных мест для образования алмаза, но возрастут линейные скорости роста алмазов из числа образовавшихся; б) при малых концентрациях слабоорганизованного графита скорость роста алмаза должна возрастать, но одновременно возрастает и рост монокристаллов графита, являющегося конкурирующей фазой. [6]
Как уже отмечалось, в качестве активного центра зародыше-образования могут рассматриваться вакансии углерода на торцах кристаллитов. Действительно, несложный расчет числа вакансий углерода на единицу торцевой поверхности графита ( с учетом энергии активации диффузии вакансий углерода) дает величину графитового блока 10 - 50 Нм для того, чтобы математическое ожидание наличия 1 - 2 вакансий углерода приближалось к единице. Поэтому можно говорить о двойственной роли процесса графитизации: а) при большой концентрации слабоорганизованного графита нет или мало активных мест для образования алмаза, но возрастут линейные скорости роста алмазов из числа образовавшихся; б) при малых концентрациях слабоорганизованного графита скорость роста алмаза должна возрастать, но одновременно возрастает и рост монокристаллов графита, являющегося конкурирующей фазой. [7]
Как уже отмечалось, в качестве активного центра зародыше-образования могут рассматриваться вакансии углерода на торцах кристаллитов. Действительно, несложный расчет числа вакансий углерода на единицу торцевой поверхности графита ( с учетом энергии активации диффузии вакансий углерода) дает величину графитового блока 10 - 50 Нм для того, чтобы математическое ожидание наличия 1 - 2 вакансий углерода приближалось к единице. Поэтому можно говорить о двойственной роли процесса графитизации: а) при большой концентрации слабоорганизованного графита нет или мало активных мест для образования алмаза, но возрастут линейные скорости роста алмазов из числа образовавшихся; б) при малых концентрациях слабоорганизованного графита скорость роста алмаза должна возрастать, но одновременно возрастает и рост монокристаллов графита, являющегося конкурирующей фазой. [8]