Возникающая вакансия
Cтраница 1
Возникающие вакансии диффундируют в противоположном направлении и погашаются на границах и у дефектов кристаллов. По существу обе теории относятся к одному и тому же явлению объемной деформации частиц путем поверхностной ( на ранней стадии С. [2]
Возникающие вакансии и ионы Ve3 перемещаются в глубь кристалла и выравнивают свои концентрации. [3]
Согласно рассмотренному первому механизму возникновения вакансий последние образуются одновременно с внедренными атомами, и потому количество возникающих вакансий и внедренных атомов должно быть одинаковым. [4]
Третью стадию ползучести, предшествующую разрушению, можно рассматривать как процесс, при котором число вновь возникающих вакансий значительно больше числа исчезающих. В этом случае совместное действие напряжения и тепловой активации обусловливают быстро следующие один за другим элементарные акты скольжения, вследствие чего скорость деформации возрастает со временем. [5]
Действительно, при низких температурах вакансионный порог должен перемещаться неконсервативно. Так как возникающая вакансия не успевает отделиться от порога, который при этом вместе с дислокацией на некотором расстоянии движется обратно и поглощает точечный дефект, то работа, связанная с образованием вакансии, совершается за счет энергии внешних напряжений. [6]
Механизм выхода атома А из кристалла простого вещества А или одновременно по атому А и В из каждой подрешетки кристалла бинарного соединения АВ сравнительно прост. Эти последние замещаются еще нижележащими атомами, так что имеет место диффузия атомов к поверхности с одновременной диффузией вакансий вглубь кристалла. Испаряясь в виде нейтральных атомов или молекул Ви, они должны оставить свой заряд возникающим вакансиям, что приведет к изменению электрофизического состояния соединения. [7]
Механизм выхода атома А из кристалла простого вещества А или одновременного выхода по атому А и В из каждой подрешетки кристалла бинарного соединения АВ сравнительно прост. Эти последние замещаются еще ниже лежащими атомами, так что имеет место диффузия атомов к поверхности с одновременной диффузией вакансий в глубь кристалла. Испаряясь в виде нейтральных атомов или молекул Вп, они должны оставить свой заряд возникающим вакансиям, что приведет к изменению электрофизического состояния соединения. [8]
Эти нестехиометрические окислы становятся полупроводниками р-типа. При низких температурах последний процесс, имеющий высокую энергию активации, не должен идти. Это подтвердилось исследованием адсорбции кислорода на закиси меди ( находящейся на подложке из металлической меди), которое показало, что при давлении ниже 1 мм при комнатной температуре адсорбируется количество, превышающее монослой. Энергия активации для области заполнения монослоя оказалась равной 6 8 ккал / моль, но при этом, согласно уравнению Рогин-ского - Зельдовича, энергия активации при поглощении должна линейно возрастать на 1 1 ккал, считая на каждый новый монослой. Скорость поглощения быстро спадает, ибо вследствие того, что возникающие вакансии не в состоянии диффундировать внутрь, создается пространственный заряд. Если газообразный кислород, находящийся над окислом, удаляют и повышают температуру, то вакансии диффундируют к границе раздела металл - окись и активность поверхности в отношении адсорбции кислорода регенерируется. Пленки закиси кобальта на кобальте ведут себя аналогично пленкам закиси меди. Поглощение кислорода сверх монослойного заполнения ( стадия внедрения) сопровождается падением теплоты адсорбции и тенденцией к обратимой хемосорбции. [9]
Эти нестехиометрические окислы становятся полупроводниками р-типа. При низких температурах последний процесс, имеющий высокую энергию активации, не должен идти. Это подтвердилось исследованием адсорбции кислорода на закиси меди ( находящейся на подложке из металлической меди), которое показало, что при давлении ниже 1 мм при комнатной температуре адсорбируется количество, превышающее монослой. Энергия активации для области заполнения монослоя оказалась равной 6 8 ккал / моль, но при этом, согласно уравнению Рогин ского - Зельдовича, энергия активации при поглощении должна линейно возрастать на 1 1 ккал, считая на каждый новый монослой. Скорость поглощения быстро спадает, ибо вследствие того, что возникающие вакансии не в состоянии диффундировать внутрь, создается пространственный заряд. Если газообразный кислород, находящийся над окислом, удаляют и повышают тем пературу, то вакансии диффундируют к границе раздела металл - окись и активность поверхности в отношении адсорбции кислорода регенерируется. Пленки закиси кобальта на кобальте ведут себя аналогично пленкам закиси меди. Поглощение кислорода сверх монослойного заполнения ( стадия внедрения) сопровождается падением теплоты адсорбции и тенденцией к обратимой хемосорбции. [10]
Страницы: 1