Замороженная вакансия

Cтраница 1

Принципиальная диаграмма состояния системы с обр азованием полупроводника типа AUIBV. [1]

Процесс исчезновения замороженных вакансий при нагревании с выдержкой во времени называют отжигом. [2]

Кроме того, экспериментальные данные Дюстерхефта [29] указывают на уменьшение концентрации акцепторных центров при отжиге до 350, чего и следовало ожидать, исходя из представлений о замороженных вакансиях теллура как об акцепторных центрах. Поэтому, видимо, модель Фрицше правильна. [3]

При температурах ниже 1600 диффузия кислорода чувствительна к структуре и, вероятно, зависит от миграции замороженных вакансий с энергией активации 58 ккал. При температурах выше 1600 диффузия является характерным свойством и Д / / к 152 ккал. Самодиффузия алюминия является характерным свойством при 1600 - 1900 и имеетАЯлНО ккал. Комбинируя данные для структурно чувствительной и характерной областей, можно определить, что энергия образования одного моля дефектов типа Шоттки 2QJAi 3 [ jo2 - составляет 470 ккал, или около 94 ккал на один точечный дефект. Хотя возможность получения черной окиси алюминия с недостатком кислорода не вызывает сомнения, имеется только одно слабое доказательство существования окиси алюминия с нестехиометрическим составом в условиях равновесия. Таким доказательством является присутствие в окиси алюминия при 1725 проводимости р-типа. При повышении температуры проводимость меньше зависит от давления кислорода и при 1800 эта зависимость исчезает полностью. Если окись алюминия имеет не-стехиометрический состав, то проводимость р-типа должна быть связана с образованием положительных дырок в валентной зоне кислорода. [4]

Страницы: 1