Замещение - кремний
Cтраница 1
 |
Сложные силикаты.| Пространственная решетка силиката. [1] |
Замещение кремния на алюминий увеличивает отрицательный заряд комплексного аниона на единицу в каждом тетраэдре, что приводит к увеличению и общего заряда катионов. [2]
При замещении кремния элементами V группы ( Р, Bi) усиливается электронная проводимость, при замещении элементами III группы ( А1, В) - дырочная. [3]
Двухвалентный бериллий был также использован для замещения кремния. При малых скоростях охлаждения расплава такого состава наблюдается образование нитевидных кристаллов амфибола. [4]
Нитрование протекает необычно и не всегда сопровождается замещением кремния. [5]
Как уже упоминалось, для многих силикатов весьма характерным является замещение кремния в кремнекислородном мотиве на алюминий. Раньше считалось, что кремний и алюминий полностью неразличимы в структуре, так как рассеивающая способность этих катионов для рентгеновского излучения очень близка и поэтому никаких указаний о характере распределения Si и А1 не может быть получено. В связи с этим отнесение того или иного силиката к химическому соединению или к твердому раствору носило часто весьма условный характер. Однако позднее, в частности при изучении структур полевых шпатов, удалось определить степень упорядоченности катионов А13 в кремнекислородном мотиве. Это было достигнуто в основном за счет того, что группа [ АЮ4 ] 5 занимает несколько больший объем, чем группа [ Si04 ] 4 -, хотя эта разница и не очень велика. В результате оказалось, что, например, различные формы калиевого полевого шпата K20 - Al203 - 6Si02 значительно отличаются между собой степенью упорядоченности Si и А1 по тетраэдрическим позициям структуры. В ортоклазе имеется лишь частичная степень упорядоченности, а в микроклине распределение Si и А1 имеет полностью ( или очень близкий к нему) упорядоченный характер. Различная степень упорядоченности Si и А1, а также Na и Са существует также в плагиоклазах ( твердые растворы между анортитом CaO - Al203 - 2Si02 и альбитом Na20 - Al203 - 6Si02), которые, как оказалось, включают группу структур. [6]
На основании полученных результатов установлено, что возможны различные степени замещения кремния на алюминий. [7]
Для конденсированных ароматических систем получен ряд92 1-нафтил 2-нафтил 9-фенантрил, что согласуется с данными по замещению кремния. [8]
Стеклообразующие элементы ( бор, фосфор, алюминий, мышьяк) способны к образованию стекла путем замещения кремния в структурном элементе - тетраэдре. [9]
 |
Дифрактограммы глинистых минералов. [10] |
Кроме того, необходимо иметь в виду, что изоморфизм в вермикулите связан в основном с замещением кремния на алюминий в тетраэдрических позициях, и поэтому энергия взаимодействия между алюмо-силикатными пакетами и обменны -, ми катионами завышена, по сравнению с монтмориллонитом. [11]
 |
Вид чешуйки натриевого монтмориллонита со стороны ребра. Темные параллельные линии, имеющие толщину около 1 нм, являются единичными слоями. [12] |
Они представляют собой трехслойные глины, по структуре напоминающие монтмориллонит, если не считать того, что в них преобладают замещения кремния алюминием в тетраэдрическом подслое. Во многих случаях таким образом может быть замещен один из четырех атомов кремния. Замещения алюминия обычно магнием и железом могут иметь место и в октаэдрическом подслое. Средний дефицит заряда выше, чем у монтмориллонита ( 0 69 по сравнению с 0 41), а уравновешивающим катионом всегда является калий. [13]
 |
ИК-спектры натриевой формы цеолита Р - А и цеолита NaA.| ИК-спектры цеолитов. P-L и KL. [14] |
Присутствие тетраэдрического фосфора в синтетических фосфатных цеолитах было доказано исследованием [134] структуры кристалла цеолита Р - С - аналога анальцима ( размер элементарной ячейки которого варьировался соответственно изменению содержания фосфора) и изучением его ИК-спектров. Замещение кремния на алюминий сопровождается сдвигом в область более низких частот из-за увеличения длины связи А1 - О. Замещение на фосфор в решетке должно давать аналогичный эффект, но поскольку длина связи Р - О меньше, сдвиг в области основной валентной полосы вблизи 1000 см 1 должен происходить в сторону более высоких частот. Повышенная интенсивность поглощения в высокочастотной ветви асимметричной валентной полосы обусловлена присутствием групп Р04 в решетке. [15]
Страницы: 1 2 3