Другое предсказание - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Сумасшествие наследственно. Оно передается вам от ваших детей. Законы Мерфи (еще...)

Другое предсказание

Cтраница 2


Незадолго до великого открытия Кирхгофа и Бунзена французский философ О. Конт писал, что у человечества нет никакой надежды узнать, из чего состоят Солнце и звезды. Прошло несколько лет, и спектроскоп Кирхгофа опроверг это пессимистическое предсказание, как были опровергнуты многие другие предсказания философов и теологов, пытавшихся ограничить возможности человеческого познания на основании общих положений своих учений и религий.  [16]

Уже было указано, что нормальная компонента жидкого гелия - это совокупность имеющихся в нем квазичастиц - фоно-нов и ротонов. Механизм вязкости, которой обладает нормальная компонента, состоит в различных процессах столкновений между этими квазичастицами. Детальное теоретическое исследование этих процессов, произведенное Л. Д. Ландау и И. М. Халатнико-вым в 1949 г., позволило установить характер температурной зависимости вязкости. Как и другие предсказания теории, эта зависимость была затем подтверждена экспериментально.  [17]

Если же это значительное различие сохранится, то справедливость алгебры токов становится сомнительной - по крайней мере в той части, которая используется в / Сгз-распаде. Наиболее вероятно, что под сомнением окажется прежде всего PGAC. Неоднократно подчеркивалось, что понятие РСАС нельзя ввести с любой степенью точности. Действительно, без всяких изменений в основной идее можно получить для / Сгз-распада другие предсказания. Примем, что предполагаемая, гладкость в экстраполяции за массовую поверхность имеет место, когда фиксирована некоторая величина, отличная от Q2, например X С ( Q2 pq2 С2), где Сх, С2 и р - некие кОн - станты. Таким образом, при К или Я, отличных от нуля, ответ зависит от выбора переменных. Для уверенности в правильности результатов необходима какая-то разумная идея. Обычно считают, что следует выбирать переменные так, чтобы другие сингулярности в плоскости qz ( за исключением пионного полюса) были отдалены, насколько возможно. Но такой выбор трудно сделать в общем виде. Удачное решение, найденное для одной задачи, обычно не подходит для других.  [18]

В частности, было установлено, что реакция протекает через образование комплекса, имеющего большее время жизни, чем его собственный период вращения. Реакция протекает при значениях прицельного параметра ( расстояниях), значительно превышающих поляризационный предел. Возможно как прямое, так и обратное рассеяние молекулярного продукта. Эти и другие предсказания теории могли быть проверены в экспериментах с молекулярными пучками.  [19]

Хотя существуют эвристические аргументы разного типа, помогающие выбрать за основу гипотезу подобия строгих критериев пока не дано. Поэтому результаты данной главы, как и результаты предыдущей главы, посвященной теории Ландау, остаются недоказанными предположениями. Однако предсказания статической гипотезы подобия иногда являются более общими, чем предсказания теории Ландау. Однако, так как гипотеза подобия приводит к функциональным соотношениям между показателями в критической точке ( см. соотношения между показателями, которые приводились выше), число независимых показателей в критической точке оказывается ограниченным. Кроме предсказания соотношений между показателями в критической точке, гипотеза подобия дает некоторые предсказания о виде уравнения состояния. И те, и другие предсказания статической гипотезы подобия подтверждаются множеством экспериментальных работ.  [20]

Сейчас общепринятой является точка зрения, что наинизший электронный уровень Sica B GaAs является водородоподобным, однако существует возбужденное глубокое состояние, резонансное с зоной проводимости. Наличие А1 в твердом растворе или приложение гидростатического давления приводят к изменению зонной структуры, и резонансное глубокое состояние опускается вглубь запрещенной зоны. Когда глубокое состояние становится по энергии ниже мелких уровней, наступает неустой-чивостъ между мелким и глубоким состояниями. Высказывались соображения [4.7, 4.8], что этот резонансный уровень Si в GaAs ведет себя как глубокий центр вследствие того, что с ним связана большая релаксация решетки. Однако теоретические модели считаются в настоящее время правильными на том основании, что находят подтверждение другие предсказания, вытекающие из них.  [21]



Страницы:      1    2