Представление - транзистор
Cтраница 1
Представление транзистора в виде линейного активного четырехполюсника позволяет построить его простую эквивалентную схему ( рис. 2.10), справедливую во всем диапазоне рабочих частот. [1]
Используя представление транзистора в виде диодной сборки, рассмотрим включение транзистора в электрическую цепь. Если включены все электроды транзистора, то два электрода должны использоваться во входной цепи и два - в выходной. Поскольку транзистор является трехэлектродным прибором, то при таком включении один электрод неизбежно оказывается общим и для входной и для выходной цепи. [2]
Используя представление транзистора в виде диодной сборки, включим транзистор в электрическую цепь. При этом два электрода должны включаться во входную цепь, два - в выходную. Поскольку транзистор является трехэлектродным прибором, один электрод неизбежно оказывается общим для входной и выходной цепей. В связи с этим различают включение с общей базой, общим эмиттером, общим коллектором. Например, включение, показанное на рис. 3.10, а, соответствует включению транзистора по схеме с общей базой. [3]
Формулы Молла основаны на двояком представлении транзистора параметрами, характеризующими его работу при нормальном и обратном включениях. Под обратным включением подразумевают взаимную замену эмиттера и коллектора. [4]
Формулы Молла основаны на двояком представлении транзистора параметрами, характеризующими его работу при нормальном и инверсном включениях ( стр. [5]
 |
Характеристика биполярного транзистора в схеме с общей базой. [6] |
При расчете цепей широко используют представление транзисторов в виде четырехполюсников. При этом параметры транзистора характеризуют коэффициентами четырехполюсника. Для биполярного транзистора эти коэффициенты принято называть Л - параметрами, их можно определить расчетом или экспериментально. [7]
Первый из них основан на представлении транзистора в виде линейного четырехполюсника, электрические свойства которого характеризуются четырьмя внешними параметрами. В этом случае рассматривают обычно систему z, у и h параметров и их взаимодействие в соответствии с выбором зависимых и независимых переменных величин, связанных с токами и напряжениями на входе и выходе четырехполюсника. [8]
 |
Эквивалентные схемы интегральных резистора ( а в конденсатора ( б.| Эквивалентная схема биполярного транзистора. [9] |
Однако чрезмерно большие затраты машинного времени, связанные с таким представлением транзистора, привели к использованию в практических программах эквивалентных схем с сосредоточенными параметрами. [10]
Рассмотрим один из вариантов такой модели, в основе которой лежит представление транзистора как системы двух взаимодействующих диодов. Эквивалентная схема модели приведена на рис. 10.6, а. В ней используются следующие обозначения: / э, / к - источники внутренних токов, управляемые напряжениями на р - п-переходах; гэ, Гб, гк - сопротивления объемных областей эмиттера, базы и коллектора соответственно, а также их внешних выводов; Гуэ, гук - сопротивления утечки; Сэ, Ск - емкости эмиттерно-го и коллекторного переходов. [11]
Величина h2 3 является основным параметром, определяющим усилительные свойства биполярного транзистора, и обычно приводится в справочниках. Обозначение h2 соответствует представлению транзистора в виде четырехполюсника с произвольной внутренней структурой. Такое представление удобно при измерении параметров транзистора со стороны внешних зажимов, так как внутренняя базовая точка Б в Т - образной эквивалентной схеме недоступна для подключения измерительных приборов. [12]
Величина h2ig является основным параметром, определяющим усилительные свойства биполярного транзистора, и обычно приводится в справочниках. Обозначение / i2i соответствует представлению транзистора в виде четырехполюсника с произвольной внухг ренней структурой. Такое представление удобно при измерении параметров транзистора со стороны внешних зажимов, так как внутренняя базовая точка Б в Т - образной эквивалентной схеме недоступна для подключения измерительных приборов. [13]
 |
Зависимость коэффициента [ IMAGE ] Представление транзистора шума транзистора от частоты. в виде четырехполюсника. [14] |
Математически такой четырехполюсник описывается системой из двух линейных алгебраических уравнений с четырьмя независимыми коэффициентами. Эти уравнения описывают связь между входными ( током 1г и напряжением ut) и выходными ( током t 2 и напряжением 2) параметрами. Параметры, связанные с представлением транзистора в виде четырехполюсника, называются вторичными. [15]
Страницы: 1 2