Автоматическое прекращение - процесс
Cтраница 1
Автоматическое прекращение процесса основано на том, что по мере снятия вершин гребешков увеличивается контактная поверхность, уменьшается удельное давление брусков, и режущая способность брусков снижается. Между бруском и обрабатываемой поверхностью образуется пленка смазки, которую бруски ввиду малого давления не могут разорвать. [1]
 |
Схема обработки при суперфинишировании цилиндрической поверхности. [2] |
Автоматическое прекращение процесса основано на том, что по мере снятия вершин гребешков увеличивается контактная поверхность, уменьшается удельное давление и режущая способность брусков. Между бруском и обрабатываемой поверхностью образуется пленка смазки, которую бруски ввиду малого давления не могут разорвать. [3]
 |
Схема управления электронной модели типа ИПТ-5. [4] |
Наряду с этим в установке часто предусматривается автоматическое прекращение процесса решения и включение или отключение входного сигнала в заранее заданный момент времени. [5]
При достижении требуемой величины внутреннего диаметра должно произойти автоматическое прекращение процесса обработки. В приведенном устройстве это достигается следующим образом. [6]
На трубопроводах кислорода и мазута предусмотрены отсека-тели для автоматического прекращения процесса в случае возникновения аварийных положений; отсекатели срабатывают при подаче соответствующих импульсов. [7]
Титрование Се и Cr2Of - ведут либо с периодическим снятием показаний индикаторной системы, либо с автоматическим прекращением процесса генерирования по достижении значения потенциала, соответствующего конечной точке титрования. Для экспериментального отыскания, этого значения проводят кулонометрическое титрование известного количества определяемого вещества, строят график в координатах потенциал индикаторного электрода - время генерирования и находят потенциал в конечной точке как значение максимального изменения потенциала в единицу времени. [8]
При использовании цифровых систем выходной сигнал может подаваться на цифропечатающее устройство для непрерывной записи показаний. В этом случае скорость осаждения может быть получена из сравнения ряда последовательных показаний. Можно ввести также электронную схему дифференцирования и тогда скорость осаждения и толщина пленки могут регистрироваться на отдельных индикаторах. При использовании аналоговых систем переменный сигнал измеряемой частоты превращается в постоянный сигнал, который подается на выходной прибор или записывается на самописец. Следует отметить простоту системы автоматического прекращения процесса осаждения, когда при достижении сигналом предварительного заданного уровня заслонка автоматически закрывает подложку. [9]
 |
Емкостной датчик. [10] |
Измерение приращения емкости производят на частоте 470 кГц с помощью измерительного моста. Предварительно мост приводится в состояние равновесия, в результате чего сигнал на выходе моста, измеряемый прибором, равен нулю. Затем путем изменения емкости эталонного конденсатора мост разба-лансируется и устанавливается такое приращение емкости, которое равно приращению емкости датчика при осаждении на него пленки заданной толщины. По мере осаждения на поверхность датчика пленки диэлектрика мост снова приближается к состоянию равновесия. Момент равновесия моста [ соответствует осаждению пленки заданной толщины, при этом выдается сигнал для автоматического прекращения процесса напыления. [11]
 |
Круглый резисторный датчик с четырьмя симметрично расположенными контактами и блок-схема устройства контроля. [12] |
В общем случае, как указал Ван-дер Пау [335], для измерения сопротивления объектов нерегулярной формы с помощью четыре точечных зондов, расположенных по периферии объекта, необходимо иметь по крайней мере два разных значения тока и напряжения. Для подсоединения, приведенного на рис. 60, величина поверхностного сопротивления пленки определяется из одного измерения R, 4 53 VII. При этом показания напряжения на цифровом вольтметре будут численно равны поверхностному сопротивлению. Помимо преимуществ, связанных с четырехзондовыми измерениями, этот тип датчика обладает и рядом других достоинств. Так например, можно показать, что небольшие изменения в диаметре круговой площади пленки, вызванные неправильной установкой маски или изменением зазора между маской и подложкой, приводят к пренебрежимо малым изменениям показаний. Этот датчик применим также для производства полупроводниковых интегральных схем, где круговые пластинки кремния являются стандартными подложками с хорошей изоляцией поверхности. Это гарантирует идентичность нормальной подложки и подложки датчика по теплопроводности, теплоте абсорбции и температуре поверхности. Для автоматического прекращения процесса используется выходной сигнал от компаратора, на второй вход которого подается сигнал от селектора конечной величины. Последний представляет собой четырехзначный двоично-кодированный десятичный ключ, в который может быть введена конечная величина, при которой процесс должен быть прекращен. [13]
Страницы: 1