Cтраница 2
При наблюдении структуры рабочей поверхности эмиттера последний заземляется через токоввод ( 7), а анод ( 6) отводится в сторону - в положение ( 11) и фиксируется в нем. Исследование структуры поверхности автоэмиттера в этом случае производится по обычной для растровой микроскопии методике. [16]
Приведены также данные о временной стабильности исследованных автоэмиттеров. Параметры планарных автоэмиттеров, полученных в работе, сравниваются с параметрами лучших планарных автоэмиттеров на основе углеродных нанотруб, описанных в литературе. [17]
Имеются данные, что при вакууме 10 - 10 - 10 - 12 мм рт. ст. автоэмиттеры из W или Re стабильно работают в статич. [18]
Классификация методов уменьшения флуктуации автоэмиссионного тока представлена на рис. 6.11. Стабильность автоэмиссионного тока при прочих равных условиях зависит от вакуумных условий. В обычных вакуумных условиях ( р 10 - 6 - 10 - 7 мм рт. ст.) автоэмиттеры адсорбируют остаточные газы и подвергаются бомбардировке положительными ионами, что увеличивает изменение работы выхода электронов. [19]
Углеродные нанотрубы благодаря своему малому диаметру и большому отношению длины к диаметру перспективны для создания низковольтных автоэлектронных эмиттеров. Начиная с 1994 года во всем мире интенсивно проводятся исследования автоэмиссионных характеристик углеродных слоев с нанотрубами, приведшие к созданию первых вакуумных приборов с такими автоэмиттерами: плоских вакуумных дисплеев, источников света и др. В докладе анализируются основные направления таких исследований. [20]
Физический смысл этой величины довольно очевиден, поскольку рост среднего квадрата производной df / dx функции амплитуды видеосигнала строки растра отражает увеличение остроты микровыступов и степени изрезанности рельефа поверхности. Следствием этого является уменьшение среднего радиуса закругления микровыступов и возрастание форм-фактора поверхности fi ( E fiU), что, в свою очередь, обеспечивает увеличение автоэмиссионного тока с автоэмиттера. Все это, конечно, справедливо только в случае стационарного токоотбора с поверхности, обладающей большим количеством микровыступов. [21]
В технологическое окно вставляется смонтированный на фланцах сильфонный ввод перемещения ( 1), шток которого имеет два фиксированных положения - I и II. В положении I плоский анод ( б), находящийся под потенциалом земли, выставляется напротив автоэмиттера-образца ( 4) на расстоянии 2 мм от него, загораживая при этом полюсный наконечник микроскопа ( 5) от бомбардировки электронами с автоэмиттера. [22]
Величина а / 1 является параметром, характеризующим стабильность тока автоэмиттера. [23]
Из ПП материалов исследованы CsSb, CdS, CdSe, Ге О4, А120, и SiO2 с примесью С, Si, ZnS, нек-рые карбиды W и др. Экспериментальные зависимости / от Е, ф, темп-ры Т эмиттера, а также данные по распределению автоэлектронов по скоростям согласуются с теорией. Обычно автоэмиттеры изготавливаются в виде тонких острий методом электролитич. [24]
W, Re, LaB, ZrC, Al O, и SiO2 с примесью С и нек-рых др., обнаруживают высокие стабильные свойства при работе в импульсном и в статич. Интенсивность катодного распыления значительно снижается при использовании импульсных и, как показывает анализ, СВЧ режимов работы автоэмиттера. [25]
W, Re, LaBe, ZrC, Al O, и Si02 с примесью С и нек-рых др., обнаруживают высокие стабильные свойства при работе в импульсном и в статич. Интенсивность катодного распыления значительно снижается при использовании импульсных и, как показывает анализ, СВЧ режимов работы автоэмиттера. [26]