Пригодность - транзистор
Cтраница 1
Пригодность транзистора для работы в рассчитанном режиме определяется сравнением полученных при расчете максимальных величин напряжений ек тах, еэ тах, тока к max и / п с предельно допустимыми. [1]
Пригодность транзистора определяется сравнением полученных при измерении данных с данными, указанными в паспорте транзистора. [2]
Пригодность транзистора определяется сравнением полученных при измерении данных с данными паспорта транзистора. [3]
Пригодность транзистора определяется сравнением полученных при измерении данных с данными, указанными в паспорте транзистора. [4]
Пригодность транзистора для работы в блоке электронной системы зажигания определяют косвенным путем. При этом измеряют обратное напряжение, развивающееся на первичной обмотке катушки зажигания в момент размыкания контактов прерывателя. При работе прибора импульсы напряжения через диоды Д1 и Д2 заряжают конденсатор С2, который медленно разряжается через микроамперметр и добавочный резистор 5 - Средний ток разряда пропорционален напряжению, до которого заряжен конденсатор, следовательно шкала прибора получается линейной. [5]
При решении вопроса о пригодности транзистора для использования его в счетном триггере необходимо также обратить внимание на величину допустимого обратного напряжения эмиттер-база. Напряжение пусковых импульсов не должно превышать значение допустимого иэ. [6]
Одним из основных факторов, определяющих пригодность транзистора для использования в той или иной электрической схеме, является зависимость его параметров от частоты. Особенно большое значение имеют зависимости усилительных свойств транзистора от частоты. [7]
 |
Зависимости параметров.| Зависимости параметров четырехполюсника, эквивалентного транзистору, от температуры. [8] |
Одним из основных факторов, определяющих пригодность транзистора для использования в той или иной электрической схеме, является зависимость его параметров от частоты. [9]
Однако он дает возможность судить о степени пригодности транзистора и подбирать транзисторы, идентичные по основным параметрам. [10]
Зависимость параметров транзистора от частоты является одним из основных факторов в определении пригодности транзистора для работы в электрической схеме. На низких частотах емкостное сопротивление этого перехода, равное 1 / со С, велико. [11]
Так как электрические сигналы могут иметь рашую частоту, то важно знать, как изменяются с частотой параметры транзистора и в первую очередь коэффициент передачи тока ( эмиттера или базы), а также коэффициент усиления по мощности. Знание таких зависимостей позволяет определять пригодность транзистора для работы в схемах с сигналами заданной частоты. При изменении частоты сигнала меняется время диффузии инжектированных в базу носителей заряда. Так, если транзистор имеет структуру p - n - типа и если передается сигнал низкой частоты, то период колебаний усиливаемого сигнала значительно больше времени диффузии. В этом случае концентрация инжектированных в базу носителей заряда убывает от эмиттерного перехода к коллекторному. [12]
Так как электрические сигналы могут иметь разную частоту, то важно знать, как изменяются с частотой параметры транзистора и в первую очередь коэффициент передачи тока ( эмиттера или базы), а также коэффициент усиления по мощности. Знание таких зависимостей позволяет определять пригодность транзистора для работы в схемах с сигналами заданной частоты. При изменении частоты сигнала меняется время диффузии инжектированных в базу носителей заряда. Так, если транзистор имеет структуру р-л-типа и если передается сигнал низкой частоты, то период колебаний усиливаемого сигнала значительно больше времени диффузии. В этом случае концентрация инжектированных в базу носителей заряда убывает от эмиттерного перехода к коллекторному. [13]
Страницы: 1