Запас - помехоустойчивость
Cтраница 1
Запас помехоустойчивости в состоянии l Von ( мин. [1]
На практике запас помехоустойчивости даже еще больше, поскольку напряжение должно превысить порог переключения, равный 1 2 В, как это видно из рис. АЛ. Запас помехоустойчивости является рабочей характеристикой отдельных семейств ИС. В КМОП ИС он особенно высок, вследствие чего о них говорят как о семействе помехоустойчивых ИС. ТТЛ ИС менее помехоустойчивы по сравнению с КМОП ИС. [2]
Для обеспечения запаса помехоустойчивости логические уровни элементов с открытыми коллекторами должны быть в тех же пределах, что и для приборов со сложным выходом: С / вых 2 4 В, ( / вых ОД В. Поскольку в данном случае уровни выходных напряжений зависят от нагрузочных резисторов Ru, сопротивление последних не может быть взято произвольно. От этого сопротивления зависит также мощность, рассеиваемая на выходном транзисторе, задержка сигналов в системе, а также нагрузочная способность. [3]
 |
К определению статических параметров потенциальных схем. [4] |
Для нахождения запаса помехоустойчивости требуется знание передаточной характеристики анализируемой логической схемы и определение на ней точек логического О и 1, а также точек с единичным усилением. [5]
 |
Передаточная характеристика ключа при /. RC - ( SL и S j - величины запаса помехоустойчивости для уровней LK Н соответственно.| Методы повышения запаса помехоустойчивости для уровня L. [6] |
Если необходимо повысить запас помехоустойчивости для уровня L, то следует увеличить величину UL, так как напряжение Ua ( Ue С / я) - UcEme практически нельзя уменьшать. Для осуществления этого в базовую цепь транзистора включают, как показано на рис. 8.3 а, один или несколько диодов. Резистор R2 служит для замыкания цепи обратного тока перехода коллектор-база, что обеспечивает более надежное запирание транзистора. [7]
Покажем, что запас помехоустойчивости для обоих состояний ТТЛ-схемы равен 0 4 В. [8]
 |
Принцип построения элемента И-НЕ типа ТТЛ. [9] |
Благодаря - этому максимальное значение уровня логического нуля повышается до 7 В, тогда запас помехоустойчивости для логического нуля превышает 6 В. [10]
 |
Принципиальная схема ЭСЛ элемента.| ЭСЛ элемент. а - схема. б - характеристика вход-выход. [11] |
Элементы с подобного рода схемами отличаются тем, что не только порог, но и соотношения запасов помехоустойчивости по обоим уровням могут меняться в результате изменения соотношений f / и. Поэтому такого рода элементы называют элементами с переменным порогом. [12]
Из этой формулы следует, что для уменьшения Pta целесообразно использовать транзисторы с достаточно хорошими усилительными свойствами, малыми паразитными емкостями при минимально возможных напряжении питания и запасе помехоустойчивости. [13]
 |
Схема возникновения сбоя в элементах с непосредственными связями. [14] |
Из предыдущего рассмотрения ясно, что передаточная характеристика такого элемента не имеет начального горизонтального участка и сдвинута в сторону меньших значений входных сигналов, а это означает, что запас помехоустойчивости по нулевому уровню практически сводится к разнице между напряжениями эмиттер-база последующего и коллектор-эмиттер предыдущего каскадов. [15]
Страницы: 1 2 3