Первый прием

Cтраница 1

Первый прием основан на постепенном передавливании размягчаемой по частям трубки ( по ее окружности) округлой графитовой разверткой и припаивании узкой трубки - державы. Передавливание проводят по частям. Сначала размягчают в пламени участок трубки в 15 - 20 мм и разверткой быстро вдавливают стекло внутрь трубки. При вдавливании развертку располагают поперек трубки. После этого размягчают соседний участок рядом с ранее вдавленным и повторяют операцию. Проведя аналогичным образом вдавливание по окружности трубки, получают неглубокую канавку - перетяжку. Операцию по передавливанию канавки повторяют несколько раз до тех пор, пока не получится узкая трубка, которую легко перепаивают на пламени горелки. После округления дна ( осаживанием и раздуванием) к нему припаивают трубку-державу. [1]

Первый прием был популярен на заре генной инженерии, в середине 70 - х годов, когда в плазмиду встраивали, в основном, гены кишечной палочки или других бактерий. ДНК, один из генов которой хотят встроить, случайным образом дробят на куски. При этом даже не обязательно использовать рестриктазы. Затем такую случайно нарубленную ДНК примешивают к плазмиде, разрезанной рестриктазой в одном месте, и добавляют лигазу. Разные плазмидные молекулы захватывают разные куски ДНК, так что в результате получается масса различных плазмид. Весь этот винегрет добавляют к бактериальным клеткам. [2]

Первый прием состоит в том, что если в циклически выполняемой последовательности операторов имеются выражения, значения которых не изменяются внутри цикла, то вычисление этих выражений выносится за пределы цикла для того, чтобы эти выражения вычислялись только один раз, а не при каждом выполнении цикла. [3]

Первый прием состоит во внесении в классическую структурную формулу дополнений при помощи особых знаков. [4]

Универсальное приспособление для шлифования деталей большой длины на оптикошлифовальном станке. [5]

Первый прием применим для шлифования профилей, не превышающих размер 10x10 мм, поскольку это определяется полем зрения оптических измерительных устройств; второй прием - при обработке профилей, превышающих этот размер. [6]

Кристаллизация в трехкомпонент-ной системе. [7]

Первый прием практически более удобен для графических построений. В этом случае вдоль одной из осей откладывается процентное содержание одной из компонент, например А, вдоль второй оси-содержание второй компоненты В. Таким путем для каждой точки чрезвычайно легко определить сумму двух компонент. [8]

Ячейка РТЛ1 с регулируемой величиной коллекторного сопротивления.| Ячейка РТЛ1 с двухступенчатым построением. [9]

Первый прием состоит в автоматическом изменении коллекторного сопротивления при изменении числа транзисторов с параллельно включенными базами. KK распределяется между максимальным числом параллельных входов, а при п1 целиком поступает в базу одного транзистора. [10]

Первый прием основан на использовании нормы запаса на объект. [11]

Диаграмма состояния трехкомпонентвой системы. [12]

Первый прием практически более удобен для графических построений. В этом случае вдоль одной из осей откладывается процентное содержание одного из компонентов, например А, вдоль второй оси - Содержание второго компонента В. Таким путем для каждой точки чрезвычайно легко определить сумму двух компонентов. [13]

Разности температур на теплом конце регенераторов установки АКт-15 при различных периодах переключения. [14]

Первый прием состоит в более полном использовании турбодетандеров, что дает существенное повышение холодопроизводительности. [15]

Страницы: 1 2 3 4