Фотогальванический приемник

Cтраница 1

Современные фотогальванические приемники обладают еще большей чувствительностью - германиевые и кремниевые фотоприемники с электронно-дырочными переходами ( р-ге-переходами), однако относительная спектральная характеристика чувствительности2 этих фотоприемников существенно отличается от относительной спектральной чувствительности глаза. [1]

Устройство фотодиода ( а и режимы его работы. фотогальванический ( б и фотодиодный ( в. [2]

Устройство фотогальванических приемников показано на рис. 4.8, а. С кремниевой пластиной n - типа сплавлена таблетка с р-проводимостью. Между ними образован р - n переход. К обеим частям кристалла присоединены невыпрямляющие металлические выводы, посредством которых прибор включается в электрическую цепь; корпус с прозрачным окном ( на рисунке не показан) защищает его от неблагоприятных воздействий. [3]

Структура фотоэлемента. [4]

На рис. 9.7 приведена структура фотогальванического приемника. [5]

Внешний вид пульта ДУ. [6]

Принципиальная схема приемника показана на рис. 10.6. Для приема инфракрасных сигналов используется фотодиод VD1 - фотогальванический приемник, обладающий односторонней проводимостью при воздействии на него лучистой энергии. База служит приемной площадкой излучения. При облучении фотодиода модулированным инфракрасным лучом через него протекает ток, совпадающий по форме с сигналом ИК излучения. [7]

Таким образом, отличительной особенностью фотогальванического эффекта по сравнению с другими видами фотоэффекта является прямое преобразование световой энергии в электрическую, что позволяет использовать фотогальванические приемники света не только для регистрации световых сигналов, но и в электрических цепях как источники электрической энергии. [8]

Кремниевые и другие полупроводниковые фотоэлементы применяются в солнечных и ядерных преобразователях и в электроизмерительных приборах. Фотогальванические приемники обладают значительной инерционностью вследствие большой собственной емкости, образованной активным полупроводниковым слоем и электродами. [9]

Фотоприемники И К излучения изготовляются из полупроводниковых материалов InSb и InAs. Максимум спектральной характеристики фотогальванического приемника из InSb, охлажденного до температуры жидкого азота, соответствует 5 3 мкм, А пор6 мкм. [10]

Приемники с примесным уровнем связаны с основными носителями, а постоянная времени представляет собой время жизни основных носителей. В случае монокристаллических приемников с неосновныгди носителями, например фотогальванических приемников, основное значение имеет время жизни неосновных носителей. [11]

Схема работы холодильного уст. [12]

На рис. 3.29 показано устройство охлаждаемых фотопроводниковых ( а) и фотогальванических ( б) приемников. В фотопроводниковом приемнике чувствительный слой 1 приклеивают к торцу внутренней колбы сосуда Дыоара; выводы, припаянные к электродам чувствительного слоя, выводят через спай двух колб. В фотогальваническом приемнике полупроводник / с р-п переходом с помощью коварового блока 2 и стержней 3 крепят к внутренней колбе 4 сосуда Дьюара. [13]

Это явление ( фотогальванический эффект) обусловлено тем, что в силу односторонней проводимости полупроводников происходит пространственное разделение внутри объема проводника оптически возбужденных электронов, несущих отрицательный заряд и микро-зон ( дырок), возникающих в непосредственной близости от атомов, от которых оторвались электроны, и подобно частицам несущих положительный элементарный заряд. Электроны и дырки концентрируются на разных концах полупроводника, вследствие чего и возникает электродвижущая сила, благодаря которой и вырабатывается без приложения внешней ЭДС электрический ток в нагрузке, подключенной параллельно освещенному полупроводнику. Таким образом достигается прямое преобразование световой энергии в электрическую. Именно по этой причине фотогальванические приемники света и используются не только для регистрации световых сигналов, но и в электрических цепях как источники электрической энергии. [14]

Страницы: 1