Cтраница 3
Для пластмасс характерными методами оценки материала в изделии являются методы, основанные на определении упруго-эластичных и вязко-текучих свойств, которые тесно связаны с их структурой. Определение этих свойств основано на измерении кинетики развития деформации чистого сдвига после приложения заданного постоянного напряжения и кинетики спада деформации после разгрузки. [31]
Эффект Ганна заключается в том, что в монокристалле арсенида галлия при приложении постоянного напряжения, создающего в полупроводнике электрическое поле более 108 В / м, возникают электрические колебания высокой частоты. [32]
Тепловой пробой в сильной степени зависит от частоты прикладываемого напряжения. За исключением пластмасс, обладающих сравнительно высокой проводимостью ( например, влажных), тепловые разрушения при приложении постоянного напряжения встречаются сравнительно редко. Напротив, при кратковременном приложении напряжения с частотой выше 100 кгц обычно происходят тепловые пробои образцов, за исключением материалов с очень низкими диэлектрическими потерями, электрический пробой рассмотрено ниже. [34]
Тепловой пробой в сильной степени зависит от частоты при-кладываемого напряжения. За исключением пластмасс, обла-дающих сравнительно высо-кой проводимостью ( например, влажных), тепловые разрушения при приложении постоянного напряжения встречаются сравнительно редко. [36]
![]() |
Зависимость теплопроводности ( в % значения для 20 С от температуры для политетрафторэтилена. [37] |
Отметим еще одно представляющее интерес явление, открытое в 1955 г. в университете Рио-де - Жанейро ( Бразилия) Маскареньясом ( S. Этим исследователем установлено увеличение теплопередачи между двумя - нагретым и холодным - электродами, погруженными в жидкий диэлектрик, в том случае, если между этими электродами приложено электрическое напряжение; эффект более сильно выражен в случае приложения постоянного напряжения, чем в случае переменного напряжения. [38]
Деформации упрочнения при постоянной нагрузке и температуре развиваются с уменьшающейся скоростью. Первые развиваются со скоростью звука и полностью обратимы после снятия нагрузки. Вторые по величине значительно больше первых: при приложении постоянного напряжения они развиваются с меньшей скоростью, быстро снижающейся во времени. После снятия нагрузки они могут исчезать полностью или частично. В начальный момент нагружения упругие и высокоэластические деформации развиваются так, что разделить их не удается, поэтому они рассматриваются совместно как деформации упрочнения. [39]
Совместимость с применяемыми материалами имеет в ряде случаев решающее значение для выбора жидкого диэлектрика. Твердые материалы не должны выделять в жидкость веществ, ухудшающие ее электроизоляционные свойства или вызывающих ускоренное старение; с другой стороны, сами материалы не должны разрушаться и ухудшать свои свойства в среде жидкости, как новой, так и состарившейся. Например, хлоруглеродные жидкие диэлектрики быстро разрушают металлизированные обкладки, разрушают при приложении постоянного напряжения фольговые алюминиевые обкладки, а поэтому не используются в металлизированных конденсаторах и фольговых конденсаторах постоянного тока. [40]
Однако здесь следует оговориться, что исследованиями последних лет убедительно доказано, что разрушение твердого тела может происходить при напряжениях гораздо более низких, чем предел прочности, и что при заданном напряжении прочность твердого тела зависит от времени воздействия нагрузки. Установлено также, что чем дольше тело находится в напряженном состоянии, тем цри меньшей нагрузке произойдет его разрушение и, наоборот, чем меньше приложенное напряжение, тем больше время жизни твердого тела. В качестве основной экспериментальной характеристики сопротивления материала статическому разрушению используют механическую долговечность т - время от момента приложения постоянного напряжения до момента разрушения твердого тела. [41]
Разработаны преобразователи, использующие запирающий слой, образованный на границе двух пьезоэлектрических полупроводниковых материалов и и р-типа. В запирающем слое отсутствуют носители тока, и он обладает высоким сопротивлением, поэтому падение напряжения на р-п переходе будет максимальным. При протекании тока высокой частоты запирающий слой ведет себя как емкость. Толщину запирающего слоя можно регулировать приложением постоянного напряжения к полупроводнику и тем самым плавно менять собственную частоту преобразователя в широком интервале. [42]
Обычно многоэлементный индикатор, имеющий т строк и п столбцов, лучше всего работает, когда каждый элемент управляется индивидуально, однако это осуществимо, если число индикаторных элементов тп не слишком велико. Когда тп 50 - 100 практически невозможно изготовить индикатор с прямой электрической адресацией. Поэтому используется матричная адресация. Простейший способ адресации матрицы заключается в приложении соответствующих постоянных напряжений к ее электродам по строкам и столбцам. [43]