Приложение - внешнее электрическое поле
Cтраница 1
 |
Распределение Ферми - Дирака / ф при. [1] |
Приложение внешнего электрического поля вызывает статистически направленное перемещение электронов проводимости навстречу полю и дырок в обратном направлении. При этом постоянные столкновения носителей заряда обоих видов с атомами кристаллической решетки исключают их монотонное ускорение в данном направлении и уместно говорить лишь о средней скорости переноса ( дрейфа) зарядов в электрическом поле. [2]
При приложении внешнего электрического поля перпендикулярно поверхности полупроводника происходит изменение электростатического потенциала поверхности, объемного заряда, поверхностной проводимости и емкости, причем Qn становится отличным от нуля. [3]
При приложении внешнего электрического поля, как показано на фиг. [4]
При приложении внешнего электрического поля электроны приобретают некоторую направленную против поля скорость. [5]
При приложении внешнего электрического поля равновесие в переходе Шоттки нарушается. Сопротивление запирающего слоя намного превышает сопротивление полупроводника, поэтому все приложенное напряжение падает на запирающем слое. Если внешнее поле направлено встречно контактной разности потенциалов ( прямое включение), то потенциальный барьер Аф, преодолеваемый электронами полупроводника, уменьшится на величину энергии приложенного поля - eUm и уровень Ферми полупроводника поднимется над уровнем Ферми металла на эту же величину. [6]
Таким образом, приложение внешнего электрического поля облегчает эмиссию, увеличивает эмиссионный ток. При достаточном увеличении напряженности внешнего поля становится возможным даже испускание электронов катодом, находящимся при комнатной температуре. Это явление называется холодной или автоэлектронной эмиссией и также применяется в ряде электровакуумных приборов. [7]
Фрей, при приложении внешнего электрического поля, наряду с изменением высоты потенциального барьера за счет наклона зон и сил зеркального отображения, требуется учитывать эффект Пула-Френкеля. [8]
Таким образом, мы показали, что приложение внешнего электрического поля приводит к возникновению перекрестных членов в уравнении для эллипсоида показателей преломления. [9]
Усложнение соотношений наступает тогда, когда граничные слои оказываются заряженными еще до приложения внешнего электрического поля. [10]
Исследования длинновременной релаксации потенциала поверхности полупроводника, выведенного из состояния равновесия освещением, приложением внешнего электрического поля или резким изменением температуры в присутствии активных газов, оставляют возможности для других толкований, так как при этом не измерялась степень покрытия поверхности адсорбированными газами. [11]
Такие диэлектрики в определенном температурном интервале обладают постоянной поляризацией, направление которой можно изменить приложением внешнего электрического поля. [12]
Специфической особенностью действия электронного излучения на изоляционные материалы является самопроизвольно развивающийся в них электрорадиационный пробой без приложения внешнего электрического поля. Практическая важность учета этого явления заключается в том, что в области торможения монохроматических электронов создаются условия для постепенного накопления электрического заряда высокой плотности с последующим пробоем, который на определенной глубине материала или изделия создает широко разветвленную сеть трещин и каналов с выходом к поверхности, разрушая, таким образом, материал. [13]
Модельные представления механизма образования носителей заряда в собственном и примесном полупроводниках были рассмотрены в § 7.3. Как отмечалось, в отсутствие внешнего электрического поля носители заряда ( электроны и дырки) совершают хаотическое движение в пределах кристалла. При приложении внешнего электрического поля преимущественным направлением движения электронов становится движение против поля, дырок - в направлении поля. Последнее объясняется тем, что движение дырки осуществляется посредством движения электрона, участвующего в ковалентной связи. Следовательно, преимущественным движением дырок в электрическом поле будет движение, противоположное направлению движения электронов. Таким образом, движение дырки во внешнем электрическом поле подобно движению положительно заряженной частицы. [14]
В равновесном состоянии омический и диффузионный токи в области объемного заряда равны и направлены в противоположные стороны. При приложении внешнего электрического поля равновесие нарушается и через контакт течет ток. В объеме полупроводника электрическое поле не может изменить концентрацию носрггелей, если только оно не слишком велико и не вызывает дополнительной ионизации. Иначе обстоит дело в приконтактной области при наличии запорного слоя. Если толщины металла и полупроводника не велики, то основное сопротивление для тока составляет запорный слой, концентрация носителей в котором значительно меньше, чем в объеме полупроводника. [15]
Страницы: 1 2