Cтраница 4
Приложенное к датчику напряжение V пропорционально 7ст, где а - электропроводность; следовательно, отношение VjilV пропорционально На. Такие вещества, как InSb или InAs, благодаря очень большим величинам хол-ловской подвижности На электронов в них оказываются очень подходящими материалами для подобных целей. [46]
Приложенное одновременно к той же сетке незначительное по величине переменное напряжение значительно усиливается в виде колебаний анодного тока. Если анодная цепь замкнута на какое-то сопротивление R, как это показано на рис. 18 - 24, то на зажимах этого сопротивления мы получим напряжение выхода вых, усиленное соответственно колебаниям анодного тока. [47]
Приложенное к цепи напряжение U - 130 В. [48]
Приложенное к вертикально отклоняющим пластинам ЭЛТ переменное синусоидальное напряжение с действующим значением 50 В дало некоторое смещение луча. Определить постоянное напряжение, которое вызывает смещение луча на эту же величину. [49]
![]() |
Радиограммы продуктов износа активированных твердосплавных пластинок Т15К6 ( справа и пластинок ВК8 ( слева на свежеобточенной стали 45Х. [50] |
Приложенное к пластинкам усилие Р - 248 кг; скорости резания: 1 - 3 6 м мин; 2 - 13 8; 3 - 29 0; 4 - 92 0; 5 - 180 м / лшн. [51]
Если приложенное к образцу напряжение оа постепенно увеличивается от нуля, то превращение начинается при достижении критического напряжения тс сначала в доменах с характеристической плоскостью габитуса, имеющих наибольший фактор Шмида. Таким образом, домены, образовавшиеся преимущественно из числа 24 возможных вариантов, имеют наибольший фактор Шмида. [52]
![]() |
Потенциалы ионизации некоторых элементов и их ионов. [53] |
Если приложенное к газу напряжение достигает напряжения зажигания иу то возникает электрический пробой. Напряжение пробоя зависит от произведения давления газа р на расстояние между электродами d и снижается при уменьшении потенциала ионизации. [54]
Всякое приложенное извне излучение с одинаковой вероятностью индуцирует поглощение или эмиссию, и возможность регистрации поглощения определяется избыточной заселенностью нижнего уровня энергии, выражаемой указанными выше ничтожными отклонениями отношения от единицы. [55]
Если приложенное к р-н-псре. [56]
Пусть приложенное к рабочей обмотке напряжение изменяется по синусоидальному закону м ( Ум5тсоЛ В секциях обмотки управления наводятся ЭДС, сумма которых должна быть равна нулю. [57]
Определить приложенное к цепи напряжение, построить топографическую диаграмму. [58]
![]() |
Зависимость сопротивле. [59] |
Если приложенное к изоляции напряжение повышать, то при некоторых значениях напряжения, различных для постоянного и переменного тока, произойдет пробой или перекрытие изоляции. [60]