Применение - диод - шоттка
Cтраница 1
Применение диодов Шоттки в конструкции И2Л - элемента позволяет увеличить его быстродействие за счет снижения логического размаха М Ин - UL, где UH и UL - значения выходного напряжения элемента, соответствующие высокому и низкому логическим уровням сигнала. [1]
Поэтому применение диодов Шоттки или других схемотехнических приемов для ограничения насыщения транзисторов в схемах с диодными связями необязательно. [2]
 |
Структура транзисторов с диодами Шоттки с охранным кольцом ( а и с расширенным электродом ( б. [3] |
Таким образом, применение диодов Шоттки в биполярных ИС позволяет достичь, во-первых, более высокого быстродействия схем и, во-вторых, более высокой плотности упаковки компонентов на кристалле. [4]
Задержка переключения элементов ТТЛ с применением диодов Шоттки приближается к аналогичным параметрам элементов ПТТЛ при сохранении одинаковой величины потребляемой мощности. Однако технология их изготовления оказывается более сложной. [5]
Потери в выпрямителях могут быть уменьшены приблизительно в два раза при применении диодов Шоттки. [6]
Из всего многообразия логических ИС в современной цифровой электронике наиболее широкое распространение находят транзисторно-транзисторные логические ( ТТЛ), в том числе и с применением диодов Шоттки ( ТТЛШ), логические элементы с эмиттерными связями и на МДП-транзисторах. [7]
Сочетание режима хранения с оптимальными режимами записи и считывания в статических накопителях возможно при использовании нелинейной переключаемой нагрузки, наиболее эффективная реализация которой обеспечивается применением диодов Шоттки. [8]
Структуру и топологию ТДШ выбирают такими, чтобы выполнить ряд требований, предъявляемых к транзистору в схеме. Применение диода Шоттки эффективно лишь в том случае, если исключается инжекцпя коллекторного перехода. [9]
Проблема создания маломощных ИС АЗУ может быть, по всей видимости, решена применением СТ-клю-чей, допускающих возможность создания микрорежима. Как показано в § 9.2, в ИС АЗУ эффективно применение диодов Шоттки. Это позволяет предположить, что наиболее перспективным базисом для быстродействующих высокоэффективных ИС АЗУ являются схемы, строящиеся на СТ-ключах с диодами Шоттки. [10]
Повышение КПД устройства электропитания может быть обеспечено как выбором соответствующих элементов и материалов, так и выбором режимов работы узлов источника электропитания. Так, для уменьшения потерь в низковольтных сильноточных выпрямителях вместо обычных диодов может оказаться целесообразным применение диодов Шоттки, биполярных и полевых транзисторов в диодном включении. Весьма перспективными являются ключевые режимы работы преобразователей и стабилизаторов, обеспечивающие весьма высокие КПД. [11]
Наибольшей эффективностью во всех отношениях обладают БИЛС типа ТТЛ с применением диодов с барьером Шоттки, выпускаемые фирмой Texas Instruments. Элементы ТТЛ серии 54 / 74 S с диодами Шоттки имеют быстродействие около 2 5 не - величина, наиболее характерная для переключателей тока. Применение диодов Шоттки позволяет обеспечить работу элементов ТТЛ в режиме, близком к насыщению, без эффектов, связанных с рассасыванием избыточных зарядов. [12]
Страницы: 1