Применение - кремниевый диод
Cтраница 2
В настоящее время описанные двухкаскад-ные схемы с магнитными усилителями внедряются на мощных экскаваторах типа ЭШ-15 / 90 и ЭШ-25 / 100, причем мощности магнитных усилителей второго каскада ( силового) уменьшены вследствие применения у генераторов обмотки самовозбуждения, составляющей 30 - 35 % мощности возбуждения генератора. На экскаваторе типа ЭШ-80 / 100 запроектирована система управления главными электроприводами с применением управляемых кремниевых диодов. [16]
 |
Схемы термометров с диодом и транзистором. [17] |
При этом ток, протекающий через диод Д, не должен превышать 2 ма, потому что больший ток может вызвать значительные погрешности. Применение кремниевого диода увеличивает верхний предел измерения. [18]
Рассмотрение схем усилителей с полупроводниковыми триодами и их свойств выходит за рамки этой книги. Отметим лишь, что полупроводниковые усилители имеют широкие перспективы применения, особенно в качестве усилителей переменного тока, встраиваемых, например, в схему, описанную В. Весьма перспективно также применение кремниевых диодов и полупроводниковых триодов в схемах бесконтактных модуляторов, заменяющих контактные конвертеры. Однако при применении полупроводниковых триодов следует иметь в виду, что им свойственны не только достоинства, но и недостатки. [19]
Основным недостатком модуляторов на полупроводниковых германиевых диодах является высокий уровень шумов, что не позволяет применять их в схемах с низким уровнем сигналов. Другой недостаток заключается в сравнительно малом обратном сопротивлении. Значительно лучшие результаты дает применение кремниевых диодов. Модуляторы на электронных лампах менее стабильны, чем диодные модуляторы или вибропреобразователи. Однако они широко используются в тех случаях, когда необходимо обеспечить достаточно высокое входное сопротивление. [20]
Следовательно, в момент подачи обратного потенциала протекает значительный обратный ток. Непосредственно вслед за приложением обратного потенциала обратное сопротивление диода экспоненциально увеличивается со временем, я большой обратный ток уменьшается со временем до счень малой величины, определяемой статическим высоким обратным сопротивлением диода. В общем случае указанная характеристика не вызывает ограничений в применении диодов точечно-контактного типа, так как время восстановления обратного сопротивления ( восстановление на 90 %) составляет обычно лишь небольшую долю микросекунды. Однако имеется строгое ограничение в применении плоскостных диодов, так как время восстановления обратного сопротивления может доставлять несколько микросекунд. Большинство кремниевых диодов, применяемых в электронных схемах с низким уровнем сигнала, относится к плоскостному типу, а германиевые диоды аналогичного применения относятся t точечно-контактному типу. Поэтому вопросы, юзникающие при расчете времени восстановления обратного сопротивления диода, обычно связаны с применением кремниевых диодов. Обычно постоянная времени соответствует времени, требуемому для достижения обратным сопротивлением диода величины 50 000 ом. Если сопротивление внешней цепи диода мало по сравнению с величиной 50 000 ом, го эффективная постоянная времени цепи будет значительно меньше постоянной времени восстановления обратного сопротивления диода. Эту особенность следует учитывать, когда сигнал содержит частотные составляющие порядка от 1 / Т до 10 / Г или выше. Для кремниевых плоскостных диодов существует дополнительное ограничение. Эффективное напряжение, при кото - юм возбуждается проводимость в прямом направлении, больше изменяется с температурой для кремниевых плоскостных диодов, чем для германиевых точечно-контактных диодов. Это имеет особенно важное значение в случае применения диода в режиме малых сигналов. [21]
 |
Простейшие фиксирующие устройства на диодах. [22] |
Полярность U может быть как положительной, так и отрицательной. Необходимо проявить осторожность при использовании фиксирующих устройств в тех случаях, когда сигнал сопровождается шумами. Пики шумов, проходящие через диод, могут вызвать смещение сигнала из желаемой рабочей области усилителя. Однако в некоторых случаях применения германиевые диоды могут оказаться неудовлетворительными из-за их относительного малого обратного сопротивления. Так как сопротивление цепи R шунтируется обратным сопротивлением диода во время действия сигнала, когда ламповый диод заперт, го обратное сопротивление может ограничивать действующее значение R схемы. При приложении к кристаллическому диоду повышающегося обратного напряжения обратный ток остается существенно постоянным, что указывает на увеличение обратного сопротивления при повышении обратного напряжения. Однако, начиная с некоторого более высокого значения обратного напряжения, ток диода будет значительно увеличиваться при дальнейшем увеличении обратного напряжения, что указывает на уменьшение обратного сопротивления диода. В случае плоскостных диодов уменьшение носит нарастающий характер. Уменьшение обратного сопротивления описывается в основном ступенчатой функцией. Соответствующая область называется областью Ценера. В диодах точечно-контактного типа обычно до достижения области Ценера происходит значительный нагрев. Это объясняется более постепенным уменьшением обратного сопротивления, так как при повышении температуры увеличивается энергетический уровень внутри диода и, следовательно, проводимость в обратном направлении. Нагрев в точечно-контактных диодах может вызвать разрушение диода до достижения области Ценера. В различных кристаллах германиевого типа максимальное обратное сопротивление обычно находится в пределах от величины меньше 100 000 ом до нескольких мегом и представляет собой обратную экспоненциальную функцию температуры. Обратное сопротивление кремниевых диодов значительно выше, чем германиевых. Таким образом, трудность, связанная с низким обратным сопротивлением, в случае применения кремниевых диодов обычно устраняется. Дополнительное, ограничение кристаллических диодов обусловливается изменением обратного сопротивления со временем, которое существует при переходе от режима прямого напряжения кристаллического диода к режиму обратного напряжения. [23]
Страницы: 1 2