Применение - туннельный диод
Cтраница 3
Недостатком такого режима работы схемы является необходимость точного поддержания правильных значений напряжений и сопротивлений. Поэтому такую схему выполняют с ограниченным числом входов - обычно не более трех. В схеме НЕ применение туннельного диода дает возможность сэкономить транзисторный инверсный каскад. Там же дана и нагрузочная прямая для Rbi Rb2 - В состоянии 0 на входе рабочая точка обращенного диода при подаче питающего импульса находится в точке а и диод по чти заперт. [31]
Одна из основных тенденций развития современной радиоэлектроники - повышение быстродействия ее элементов и устройств. Уже сейчас в приборах различного назначения приходится иметь дело с процессами, длительность которых измеряется десятыми и сотыми долями наносекунды. Спектр сигналов, обусловленных этими процессами, простирается до нескольких гигагерц, а частота повторения во многих случаях составляет десятки и сотни мегагерц. Вместе с тем, внедрение в радиоэлектронную аппаратуру полупроводниковых приборов, применение туннельных диодов, микроминиатюрных элементов и интегральных схем приводит к уменьшению напряжений, характеризующих величины этих сигналов. Уровни напряжений многих сигналов подчас не превышают единиц милливольт. Аппаратура, предназначенная для исследования, регулирования и контроля подобных устройств, должна быть весьма чувствительной к малым сигналам и обладать широкой полосой пропускания. [32]
 |
Двустабильное спусковое устройство на 2 транзисторах с пепосредств. связями.| Двустабильное спусковое. устройство на туннельном диоде. о - схема. С - динамич. хар-ка. [33] |
Падающий участок хар-к сохраняется в диапазоне темн-р от единиц К до сотен С. Туннельные диоды устойчивы к ядерным излучениям. Туннельный эффект не связан с ограниченным временем дрейфа неосновных носителей в 1111, в связи с чем возможна работа прибора на весьма высоких частотах. Потери анергии в туннельных диодах незначительны. Применение туннельных диодов открывает перспективы создания электронных машин со скоростью работы, достигающей десятков миллионов операции в сек. [34]
 |
Двустабиль-ное спусковое устройство на 2 транзисторах с пепосредств. связями.| Двустабильное спу-скииои устройство на туннельном диоде. а - схема. б - динамич. хар-ка. [35] |
Падающий участок хар-к сохраняется в диапазоне темп-р от единиц К до сотен С. Туннельные диоды устойчивы к ядерным излучениям. Туннельный эффект не связан с ограниченным временем дрейфа неосновных носителей в ПП, в связи с чем возможна работа прибора на весьма высоких частотах. Потери энергии в туннельных диодах незначительны. Применение туннельных диодов открывает перспективы создания электронных машин со скоростью работы, достигающей десятков миллионов операций в сек. [36]
Страницы: 1 2 3