Применение - карбид - кремний
Cтраница 1
Применение карбида кремния для изготовления различных полупроводниковых приборов часто вызвано повышенными требованиями к стабильности их параметров при условии работы приборов в химически агрессивных средах, при высоких уровнях облучения частицами высокой энергии и при повышенных температурах. [1]
Какую роль играет явление политипизма в применении карбида кремния. [2]
Одной из иллюстраций этого может служить эволюция применения карбида кремния. Известный первоначально как абразив, он в дальнейшем стал использоваться для создания огнеупоров, защитных покрытий на частицах ядерного горючего, полупроводников и жаростойких композитов. Другим примером могут быть материалы, полученные на основе доменных шлаков, прежде всего шлакоситалл. Впервые в научный обиход слово ситалл было введено профессором И. И. Китайгородским как производное от слов стекло и кристалл. Подобный материал в Советском Союзе был получен еще в 50 - х г. в Московском химико-технологическом институте им. [3]
Благодаря высокой твердости и абразивной способности карбид бора является весьма ценным абразивным материалом для обработки твердых сплавов, для которых применение карбида кремния не обеспечивает требуемых результатов, а применение алмазного инструмента, хотя и дает лучшие результаты, но является более дорогим. [4]
 |
Зависимость парциальных давлений продуктов испарения SiC и активности Si от температуры.| Зависимость состава паров над карбидом кремния и степени протекания реакций 7 - 9 от температуры. [5] |
Из графика видно, что уже при 2300 К давление паров над карбидом кремния достигает 10 - 4 атм, следовательно, применение карбида кремния в вакуумной технике выше этой температуры вряд ли может быть рекомендовано. [6]
Производство, обра - ботка и применение абразивов ( электрокорундов - нормального, белого, хромистого, монокорунда), карбида, бора, эль-бора, обработка и применение карбида кремния и др. 3.8. Сварочные аэрозоли. [7]
На основе монокристаллического карбида кремния показана возможность изготовления высокотемпературных силовых полупроводниковых приборов, полевых транзисторов, GB4 приборов, туннельных диодов, светодиодов, фотодиодов, счетчиков частиц высоких энергий, эмиттеров электронов, терморезисторов, фоторезисторов, тензорезисторов и других приборов. Применение карбида кремния для изготовления различных типов полупроводниковых приборов обусловлено повышенными требованиями современной электроники к стабильности их параметров при условии работы приборов в химически агрессивных средах, при высоких уровнях облучения частицами высоких энергий и при повышенной температуре. [8]
Карбиды бора и кремния, характеризующиеся высокой твердостью и абразивными св-вами, используют для шлифования и полирования твердых материалов. Полупроводниковые св-ва определяют применение карбида кремния в качестве поджигателей игнитронных выпрямителей, предохранительных дисков вилитовых разрядников, нелинейных сопротивлений и др. Бескислородные интерметаллические соединения-взаимные соединения металлов, которые характеризуются преим. К высокотемпературным бескислородным интерметаллическим соединениям относятся бериллиды, герма-ниды и алюминиды переходных металлов. Бериллиды редкоземельных металлов образуют, в частности, фазы, кристаллизующиеся в кубической решетке. Получают бериллиды взаимодействием металлов с бериллием при сплавлении или спекании. [9]
Необходимо применение соответствующей ( адекватной) вентиляции и респираторной защиты. Если при абразивной очистке мрамора используется песок, то возникает экспозиция воздействию кремнезема. Однако риска развития силикоза можно избежать путем применения карбида кремния или оксида алюминия, которые одинаково эффективны в качестве заменителей песка. Большие количества пыли, возникающей при обработке мрамора, должны быть объектом контроля, осуществляемого либо за счет использования влажных методов обработки, либо за счет применения вытяжной вентиляции. [10]
Новым направлением в сильноточной электронике является создание полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия и карбида кремния. В середине 80 - х годов в СССР разработаны диоды на ток 200 А, напряжение 1000 В с временем восстановления 0 1 мкс, с рабочей температурой 300 С. Созданы макетные образцы тиристоров на ток 200 А с напряжением переключения 600 В, на рабочее напряжение 450 В с временем выключения 1 мкс и макетные образцы транзисторов на ток 3 А, напряжение 500 В при рабочей температуре 340 С. Еще большие перспективы для повышения рабочей температуры и быстродействия открывает применение карбида кремния. Уже созданы первые в мире лабораторные образцы карбидо-кремниевых диодов на ток 0 5 А, напряжение 350 В, работающие при температуре 500 С. [11]
Новым направлением в сильноточной электронике является создание полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия и карбида кремния. В середине 80 - х годов в СССР разработаны диоды на ток 200 А, напряжение 1000 В с временем восстановления 0 1 мкс, с рабочей температурой 300 С. Созданы макетные образцы тиристоров на ток 200 А с напряжением переключения 600В, на рабочее напряжение 450 В с временем выключения 1 мкс и макетные образцы транзисторов на ток 3 А, напряжение 500 В при рабочей температуре 340 С. Еще большие перспективы для повышения рабочей температуры и быстродействия открывает применение карбида кремния. Уже созданы первые в мире лабораторные образцы карбидо-кремниевых диодов на ток 0 5 А, напряжение 350 В, работающие при температуре 500 С. [12]
Страницы: 1