Применение - охранное кольцо
Cтраница 1
 |
Схема измерения поверхностных токов утечки концевых. [1] |
Применение охранных колец не позволяет выявлять дефекты внутренней изоляции металлических концевых муфт. Для выявления таких дефектов необходимо произвести измерение тока утечки, подтекающего к корпусу муфты. Изоляция между шейками воронки или муфты выполняется обычно в виде нескольких слоев смоляной ленты. [2]
 |
Схема измерения поверхностных токов утечки концевых разделок силовых кабелей. [3] |
Применение охранных колец не позволяет выявлять дефекты внутренней изоляции металлических концевых муфт. Для выявления таких дефектов необходимо произвести измерение тока утечки, подтекающего к корпусу муфты. [4]
 |
Зависимость темнового тока, отнесенного к фотокатоду, от температуры для фотоумножителя с сурьмяно-цезиевым фотокатодом. [5] |
Возможно также применение наружного охранного кольца. [6]
При измерении ионизационных токов больших, чем 10 - 9 а, применение охранных колец необязательно. [7]
Краевые эффекты уменьшают выбором оптималь - - ного соотношения между диаметром и высотой цилиндров, применением охранных колец, сферического дна, воздушных пузырей, вдуванием воздуха в придонный зазор и некоторыми другими методами. Краевые эффекты практически исключаются в конструкциях с полым внутренним цилиндром ( колоколом), помещенным в кольцевой внешний цилиндр. Прототипами их явились приборы Кристоф-Цакалова, Кемфа, Мак-Миллена. [8]
В случае, когда величина погрешности, вызываемой токами поверхностной утечки, в местах концевых разделок кабеля превысит 5 %, измерение сопротивления изоляции производится с применением охранных колец, наложенных на изолированные жилы кабеля и присоединенных к экрану установки. [9]
Сопротивление изоляции ( ГОСТ 3345 - 67) измеряют методом сравнения отклонения гальванометра при постоянном напряжении от 90 до 500 В. Погрешность измерения не должна превышать 10 % при измерении в пределах до 1010 Ом и 25 % - в пределах 10 Ом и более. Допускают применение других электрических схем при условии сохранения пределов и допустимых погрешностей измерения. В случае, когда погрешность, вызываемая токами поверхностной утечки в местах концевых разделок кабеля, превысит 5 %, сопротивление изоляции измеряют с применением охранных колец, наложенных на изолированные жилы кабеля и присоединенных к экрану установки. [10]
Если фотоэлемент полностью защищен от света, то при включенном напряжении в его цепи все же течет нек-рый небольшой ток, к-рый наз. Последний складывается из тока термоэлектронной эмиссии фотокатода и тока утечки между фотокатодом и анодом. Величина термоэмиссии при комнатной темп-ре в фотоэлементах с различными типами фотокатодов составляет от 10 - 12до 10 - 15 а. Этот ток приблизительно пропорционален напряжению питания и в различных типах фотоэлементов в условиях нормальной эксплуатации ( комнатная темп - pa, относит, влажность 70 %) составляет величину от. В фотоэлементах, предназначенных для измерений слабых световых потоков, ток утечки уменьшается применением охранного кольца, разделяющего фотокатод и анод. В таких фотоэлементах напряжение питания подается между фотокатодом и охранным кольцом, а измерит, прибор включается между охранным кольцом и анодом. [11]
Если фотоэлемент полностью защищен от света, то при включенном напряжении в его цепи все же течет нек-рый небольшой ток, к-рый наз. Последний складывается из тока термоэлектронной эмиссии фотокатода и тока утечки между фотокатодом и анодом. Величина термоэмиссии при комнатной темп-ре в фотоэлементах с различными типами фотокатодов составляет от 10 - 12до 10 - 16 а. Этот ток приблизительно пропорционален напряжению питания и в различных типах фотоэлементов в условиях нормальной эксплуатации ( комнатная темп - pa, относит, влажность 70 %) составляет величину от. В фотоэлементах, предназначенных для измерений слабых световых потоков, ток утечки уменьшается применением охранного кольца, разделяющего фотокатод и анод. В таких фотоэлементах напряжение питания подается между фотокатодом и охранным кольцом, а измерит, прибор включается между охранным кольцом и анодом. [12]
В целях повышения пробивного напряжения Unp кривизна коллекторного р - п перехода уменьшается методом охранного кольца. Суть метода сводится к тому, что по периферии коллекторного перехода создается дополнительная диффузионная область р-типа ( рис. 2.9) с большей глубиной, чем расчетная глубина коллекторного перехода. Эта углубленная область имеет больший радиус кривизны и называется охранным кольцом. Ширину последнего выбирают минимальной с точки зрения технологии ( 5 - 10 мкм), чтобы не увеличивать значительно емкость коллекторного перехода. Применение охранного кольца позволяет повысить t / np от 50 - 70 В, что характерно для планарных транзисторов, до 100 - 200 В. [13]
Страницы: 1