Cтраница 4
Следует отметить применение лазера в качестве источника возбуждения при люминесцентных исследованиях, особенно сред с неоднородно-уширенными полосами люминесценции. В этом случае благодаря узости спектра лазерного излучения возбуждается малая часть люминесцирующих центров, не захватывающая всей неоднородно-уширенной полосы. [46]
Представляет интерес применение лазера на ИАГ для распиливания кристаллов алмаза толщиной до 3 5 мм за счет получения двух встречных резов на глубину до 1 8 мм с каждой стороны. Причем это может осуществляться одновременно на лазере, имеющем специальное приспособление, например на установке типа Квант-17 ( см. гл. Для того чтобы избежать микротрещин и сколов со стороны входа луча и на боковых стенках кратера, необходимо применять лазер с короткими импульсами и повышенной мощности. Распиливание алмазных кристаллов может быть выполнено за 6 - 10 проходов со смещением кристалла от импульса к импульсу на 25 - 35 мкм при энергии излучения не более 2 Дж и частоте следования импульсов до 50 Гц. При этом затрачивается время от 2 до 5 мин на распиливание одного кристалла ( в зависимости от его размеров), а поверхность в месте воздействия лазерного излучения может достигать 6 - 7 класса шероховатости. Полуфабрикаты, полученные в результате резки лазеров, подвергаются в дальнейшем обточке и огранке. [47]
Эффективно также применение лазеров для оптнч. Это является ценным дополнением к результатам, полученным нз измерений зависимости сечения р-ции от скорости сталкивающихся реагентов. [48]
В результате применения лазеров в технологии изготовления элементов микроэлектроники, в частности для очистки поверхности, ее рекристаллизации и отжига дефектов, для управления процессами поверхностной диффузии и др., вопросы фотохимии поверхности в условиях высокого уровня возбуждения кристалла выходят на первый план. Возникающие активные продукты фотохимических поверхностных реакций могут стать одной из основных причин деградации приборов микро - и оптоэлектроники, они могут стимулировать процессы атомной перестройки неупорядоченной поверхностной фазы, ингибировать и, наоборот, способствовать де-фектообразованию на поверхности. В технологии газового травления кремния и его низкотемпературного окисления все шире начинают использовать фотокалитические реакции. Все вопросы в применении к крупным органическим молекулам остро интересуют технологию фотолитографии, особенно в связи с развитием субмикронной технологии. [49]
Показана возможность применения лазера, работающего в режиме модулированной добротности, для целей масс-спектрометрического анализа твердых веществ. [50]
Изучаются возможности применения лазеров в эмиссионном спектральном и атомно-абсорбционном анализе, проводились работы по спектральном / определению трудновозбудимых элементов - серы, галогенов и др. с помощью плазмотрона. [51]
Очень перспективно и применение лазеров для световой связи в космосе. [52]
Какие возможности открывает применение лазеров для возбуждения спектров КР. Какие предосторожности нужно соблюдать при их использовании. [53]
В настоящее время применение лазеров в химии во всех областях спектра ограничено в основном отсутствием удобных коммерческих перестраиваемых лазеров для некоторых спектральных диапазонов. В принципе весь спектр между 100 нм и 1000 мкм может быть перекрыт с помощью методов смешения частот. Некоторые из этих устройств пока еще находятся на стадии лабораторных исследований и обслуживаются высококвалифицированными специалистами. Учитывая быстрое развитие техники за последние несколько лет, можно вполне обоснованно надеяться, что появление доступных приборов позволит работать во всех спектральных диапазонах. [54]
Особый интерес представляет применение лазера в качестве источника света при интерферометрии плазмы. [55]