Cтраница 2
Таким образом, применение резисторов МЛТ позволяет особенно резко сократить габариты аппаратуры, если температура воздуха в ней при эксплуатации превышает 40 С. [16]
Свойства и область применения резисторов характеризуется рядом параметров. [17]
В некоторых случаях применения резисторов имеет значение зависимость величины полного сопротивления резистора от частоты. [18]
![]() |
Управление реле двумя контактами. [19] |
Недостаток схем с применением резисторов и диодов заключается в том, что они более чувствительны к изменениям напряжения питания и параметров используемых аппаратов. [20]
Рассмотрим наиболее экономичный случай - применение резистора в одной цепи статора. [21]
![]() |
Границы экономичного применения решения. [22] |
Например, при напряжении 500 Кв1 и допустимом kZ дешевле применение резистора, установленного на выключателе; при напряжении 500 кв и допустимом k 1 5 дешевле применение резистора в линии электропередачи, параллельно которому установлен искровой промежуток. [23]
Дальнейший прогресс на пути улучшения защитных характеристик разрядников может быть достигнут применением резисторов на основе материала, имеющего значительно большую нелинейность ( коэффициент нелинейности 0 02 - 0 04), чем у резисторов на основе карбида кремния. В этом случае появляется возможность отказаться от использования в разрядниках последовательного искрового промежутка и осуществить глубокое ( ниже уровня 2 i / ф) ограничение коммутационных перенапряжений. Требованию высокой нелинейности удовлетворяет материал на основе оксида цинка. В настоящее время выпускаются защитные аппараты - нелинейные ограничители перенапряжений с резисторами на основе этого высоконелинейного материала. [24]
![]() |
Схема вентиля ИЛИ-НЕ инжекционного типа. [25] |
Второй транзистор можно рассматривать как нагрузку, следовательно, отпадает необходимость в применении обычных резисторов ( см. разд. Схемы инжекционного типа работают очень устойчиво при различных видах сигналов, а потребляемая мощность не увеличивается с возрастанием частоты. Кроме того, такие схемы обладают высокой помехоустойчивостью при действии шумов и нежелательных сигналов. [26]
Следует отметить, что аналогичный эффект мог бы быть достигнут и в случае применения резистора Rs, сопротивление которого возрастает с увеличением температуры примерно по экспоненциальному закону. [27]
При проектировании ДУ на дискретных элементах источник стабильного тока / о может быть выполнен с применением обычных резисторов, как показано на схеме рис. 4.26, а. В случае интегрального ДУ выполнение резистора большого номинала связано со значительным расходом площади подложки интегральной схемы и существенным увеличением рассеиваемой на резисторе мощности. Поэтому в интегральном ДУ в качестве источника стабильного тока используют транзисторный каскад ОЭ, имеющий значительное сопротивление переменной составляющей тока. [28]
При проектировании ДУ на дискретных элементах источник стабильного тока / 0 может быть выполнен с применением обычных резисторов, как показано на схеме рис. 7.41, а. Поэтому в интегральном ДУ в качестве источника стабильного тока используют транзисторный каскад ОЭ, имеющий значительное сопротивление переменной составляющей тока. [29]
Конечно, стабильность разверток повысилась не только в результате новых схемных решений, но также вследствие применения новых стабильных резисторов и конденсаторов, а также новых электровакуумных приборов. [30]