Применение - мощный транзистор
Cтраница 1
Применение мощного транзистора позволяет получить гораздо больший выходной ток, чем от параметрического стабилизатора с таким же стабилитроном. [1]
Особенностью применения мощных транзисторов является работа этих приборов в режимах, близких к предельным по температуре перехода. [2]
При применении мощных транзисторов необходимо обеспечивать правильный тепловой режим работы, чтобы температура корпуса транзисторов была минимальной и не превышала допустимую. Превышение предельной температуры может привести к тепловому пробою р-п перехода. Тепловой пробой возникает вследствие лавинообразного нарастания температуры р-п перехода. Во избежание теплового пробоя необходимо улучшать отвод тепла от транзистора. [3]
При применении мощных транзисторов необходимо обеспечивать правильный тепловой режим работы, чтобы температура корпуса транзистора была минимальной и не превышала допустимой. Превышение предельной температуры может привести к тепловому пробою р-п перехода. Тепловой пробой возникает вследствие лавинообразного нарастания температуры р-п перехода. Во избежании теплового пробоя необходимо улучшать отвод теплоты от транзистора. Правильный выбор теплового режима работы снижает интенсивность отказов транзисторов, а также обеспечивает стабильность выходных параметров аппаратуры. Обеспечение оптимального теплового режима работы транзисторов играет первостепенную роль при создании надежной аппаратуры. [4]
 |
Схемы параллельного включения транзисторов. [5] |
При применении мощных транзисторов необходимо обеспечивать правильный тепловой режим работы, чтобы температура корпуса транзистора была минимальной и не превышала допустимой. Превышение предельной температуры может привести к тепловому пробою р-п перехода. [6]
При применении мощных транзисторов необходимо обеспечивать правильный тепловой режим работы, чтобы температура корпуса транзисторов была минимальной и не превышала допустимую. Превышение предельной температуры может привести к тепловому пробою р-п перехода. Тепловой пробой возникает вследствие лавинообразного нарастания температуры р-п перехода. Во избежание теплового пробоя необходимо улучшать отвод тепла от транзистора. [7]
Книга может представить интерес для тех, кто занимается разработкой и производством полупроводниковых приборов, а также для студентов, специализирующихся в области полупроводниковой электроники. Кроме того, знакомство с книгой может быть полезным специалистам, занимающимся применением мощных транзисторов. [8]
 |
Мощные полупроводниковые диоды Д215. [9] |
Все полупроводниковые приборы необходимо выбирать, исходя из мощности рассеяния. Для маломощных схем ( с малыми коллекторными токами) необходимо применять маломощные транзисторы, применение мощного транзистора в данном случае весьма неэкономично. Не рекомендуется устанавливать мощные диоды с большим прямым током в маломощные выпрямители. Это неизбежно приведет к температурной нестабильности выпрямителя и росту пульсаций выпрямленного напряжения. [10]
Все полупроводниковые приборы необходимо выбирать исходя из мощности рассеяния. Для маломощных схем, при малых коллекторных токах необходимо выбирать маломощные транзисторы, гак как применение мощного транзистора может привести к температурной неустойчивости полупроводникового прибора. [11]
МКПВ с НУП типа К-60 П-2 М, К-60 П-4 и К-24 П-2 М предусматривают более короткие усилительные участки, чем аналогичные системы уплотнения магистрального многочетверочного симметричного кабеля с НУП типа К-60 П и К-24-60. Кроме того, в этом случае в усилителях могут быть использованы менее мощные транзисторы, потребляющие меньшие токи электропитания, что позволяет увеличить число НУП, питаемых дистанционно одним ОУП. Применение менее мощных транзисторов к уменьшение токов дистанционного питания повышают надежность работы усилителей НУП и всей магистрали. Поэтому, как правило, транзисторные усилители НУП имеют усиление порядка 3 5 ч - 4 5 неп. [12]
 |
Коллекторные характеристики мощного транзистора. а - - в схеме ОБ. б - в схеме ОЭ. [13] |
А сопротивление эмиттерного перехода ничтожно мало и с ним практически можно не считаться. Последнее при высоких уровнях инжекции модулируется ( см. рис. 2 - 34) и обычно лежит в пределах до 10 Ом. Малое значение входного сопротивления не является препятствием для применения мощных транзисторов, если связь с источником сигнала осуществляется через трансформатор. Сопротивление коллекторного перехода при токах около 1 А составляет всего несколько кило-ом, а сопротивление г. в схеме ОЭ - сотни ом. [14]
Страницы: 1