Запирание - диод
Cтраница 1
 |
Схема улучшения формы импульсов с помощью встроенных эмиттерных повторителей ( а и форма напряжения на коллекторе запирающего транзистора ( б. [1] |
Запирание диода происходит достаточно быстро и обусловлено различием в скоростях увеличения напряжения на выводах диода. [2]
Запирание диода во время действия импульса обеспечивается автоматически - положительный импульс, передаваясь на выход схемы ( на катод диода), запирает его. Отпирание диода в промежутке между импульсами обеспечивается за счет полярности напряжения Д ( в паузе между входными импульсами плюс этого напряжения через Rt приложен к аноду, а минус - к катоду диода), Используя эквивалентные схемы запертого ( см. рис. 3.5, б) и включенного ( см. рис. 3.3, б) диодов, получаем эквивалентную схему цепи, близкую к приведенной на рис. 3.53. При Um ейя влиянием напряжение отсечки можно пренебречь и использовать для оценки значений AI, 62 и / Сс полученные соотношения. [3]
После запирания диода спад импульса формируется, как в обычном ключе. Таким образом, в ключе с нелинейной обратной связью время рассасывания tp отсутствует. В то же время фронт выходного импульса может быть сделан очень коротким, так как имеется возможность беспрепятственно увеличи-01, возникающий при включении ключа. Благодаря наличию обратной связи остаточное напряжение на коллекторе открытого транзистора стабильно. [4]
 |
Практические схемы усилителей с нелинейной обратной. [5] |
После запирания диода, когда цепь обратной связи разрывается, выходное напряжение спадает с постоянной времени тэк. Длительность среза / ср 2 2 тэк оказывается больше длительности фронта. [6]
 |
Устройство р-я-переходов точечных ( а, сплавных ( б, диффузионных ( в диодов. [7] |
Инерционность запирания диода связана с эффектом накопления носителей заряда, который заключается в следующем. При протекании через диод прямого тока через р - n - переход осуществляется инжекция носителей и образуется избыточная концентрация неосновных носителей, возрастающая с увеличением прямого тока. При переключении напряжения на обратное эти неосновные носители в первый момент увеличивают обратный ток и способствуют снижению обратного сопротивления. Постепенно концентрация неосновных носителей уменьшается за счет рекомбинации и ухода через р - n - переход. После окончания рекомбинации обратное сопротивление и ток восстанавливаются до стационарных значений. Кроме того, на инерционность диода в импульсном режиме оказывает влияние барьерная емкость, уменьшение которой может быть достигнуто уменьшением площади р - я-перехода. [8]
При запирании диода начинается рассасывание избыточных носителей, накопленных в базе. По мере уменьшения заряда в базе уменьшается и напряжение на переходе. Но пока переход смещен в прямом направлении, ток диода определяется параметрами внешней цепи. [9]
При запирании диода Дг конденсатор Сг разряжается на нагрузку - процесс повторяется каждый период. При описании принципа работы полагаем, что ток нагрузки / н много меньше тока заряда. [10]
 |
Принципиальная схема ЧМГ станции РРЛ Вос-12 6В 12 6В ход. [11] |
В цепь запирания диодов включены терморезистор R / t, резистор i и РЧ дроссель LI. Модулирующий сигнал поступает через GI и L. Конденсатор С4 обеспечивает дополнительную емкость в промежутке база-эмиттер создавая необходимые предпосылки для самовозбуждения трехточечной схемы. [12]
В результате запирания диодов схема в первый момент ( до появления коллекторных токов) представляет собой две независимые ветви, каждая из которых содержит эмиттерный переход соответствующего транзистора. [13]
Процесс отпирания и запирания диодов управляется напряжением гетеродина - Иь. [14]
До момента ta запирания диода коэффициент передачи катодного повторителя будет определяться малым внутренним сопротивлением диода и значение его будет весьма мало. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5