Cтраница 2
В дальнейшем нас будут интересовать только твердые и гибридные интегральные схемы, так как построение управляющих устройств АТС без применения активных элементов невозможно. В пленочных же интегральных схемах еще не созданы промышленные активные элементы. [16]
Эти два различных технологических метода являются не конкурирующими, а дополняющими друг друга. Применение дискретных активных элементов объясняется отсутствием в настоящее время эксплуатационно устойчивых пленочных транзисторов и диодов. [17]
Магнитоэлектрические приборы пригодны для измерений в цепях постоянного тока Расширение ил возможностей достигается преобразованием переменного тока в постоянный В этом сл чае дается использовать такие их свойства, как высокую чувствительность и точность, малое потребление энергии. Выпрямительные приборы могут строиться на применении пассивных и активных элементов. [18]
Сопоставляя схемы рис. 2.11 а с ранее рассмотренной схемой рис. 2.7 а, нетрудно заметить, что внешние ( по отношению к четырехполюснику) цепи совершенно идентичны и поэтому здесь нет необходимости повторять высказанные соображения, касающиеся назначения этих цепей. Приведем лишь специфические для данной схемы соображения, связанные с применением активного элемента - усилительного триода. [19]
Фильтрующее устройство ФУ используется для ослабления пульсаций выходного напряжения. В качестве фильтрующего устройства обычно используются фильтры нижних частот ( ФНЧ), выполненные на пассивных R, L, С элементах или, иногда, с применением активных элементов - транзисторов, операционных усилителей и пр. Качество ФУ оценивают по его способности увеличивать коэффициент фильтрации q, равный отношению коэффициентов пульсации на входе и выходе фильтра. [20]
Элементы электронного моделирования могут быть также использованы для создания нелинейной емкости ( гл. X), что дает возможность решать нелинейную задачу теплопроводности непрерывно во времени с учетом зависимости всех теплофизических характеристик от температуры, включая и коэффициент температуропроводности. Применение указанных активных элементов дает возможность провести модернизацию имеющихся в эксплуатации емкостно-резистив-ных моделей, не приспособленных к решению нелинейных задач, и использовать их при решении задач теплопроводности в нелинейной постановке. [21]
С микроминиатюризацией радиоаппаратуры и совершенствованием технологии ее производства выявились новые особые требования к конструктивным параметрам активных элементов, которым вакуумные приборы не удовлетворяют. В современных импульсных усилителях преимущественно используются биполярные транзисторы, имеющие высокую добротность. Полевые транзисторы характеризуются значительно меньшей добротностью чем биполярные транзисторы и лампы, что обусловлено сравнительно малой крутизной характеристики тока стока и большой входной динамической емкостью. Указанное существенно ограничивает область самостоятельного использования полевых транзисторов ( не в сочетании с биполярными) особыми случаями, когда применение других активных элементов по условиям эксплуатации неприемлемо. Укажем здесь, что по сравнению с биполярными транзисторами полевые транзисторы характеризуются повышенной радиационной стойкостью а также способны работать в условиях широкого изменения температуры внешней среды. В частности, полевые транзисторы успешно работают при весьма глубоком охлаждении, причем их электрические параметры при этом улучшаются. Это позволяет применять их в приборах, предназначенных для исследований в области физики низкие температур. [22]