Примесь - элемент - группа
Cтраница 3
Как и в кремнии, примесь к германию элементов II и III групп ( кальций, бор, медь) создает дырочную проводимость, примесь элементов V группы ( висмут, сурьма, фосфор, азот) - электронную. Примесь олова, принадлежащего также IV группе, ведет к электронной проводимости. [31]
 |
Некоторые электронные свойства основных политипов SiC при 300 К. [32] |
Примесь элементов V группы ( см. табл. 1.1) и Fe-доноров, а также избыток Si приводят к проводимости п-типа и зеленой окраске; примесь элементов III группы, а также недостаток Si - к проводимости р-типа и голубой или фиолетовой ( в толстых слоях - черной) окраске. Чистые, почти стехио-метрические кристаллы карбида кремния прозрачны. Электропроводность кристаллов SiC n - типа разных политипов при Т - 300 К колеблется в широких пределах вследствие различий в структуре зоны проводимости. Из-за качественной одинаковости валентной зоны политипы SiC р-типа характеризуются сходными электрическими свойствами, в них отсутствует анизотропия электропроводности, характерная для политипов n - типа. По совокупности электронных свойств наиболее перспективна политипная модификация 4Н: большая ширина запрещенной зоны, наименьшая эффективная масса электрона, наименьшая энергия ионизации доноров и акцепторов, одна из самых высоких подвижностей электронов. [33]
Производится в промышленном масштабе в виде монокристаллов любого размера и качества. Примеси элементов V группы периодической системы, образуя с Ge твердые растворы замещения, обусловливают электронную проводимость, примеси III группы создают дырочную проводимость германия. [34]
 |
Удельная проводимость. [35] |
Примеси замещения в кристаллической решетке соединений АП1ВУ распределяются таким образом, чтобы не возникло центров с большим избыточным зарядом. Поэтому примеси элементов II группы периодической системы Д. И. Менделеева - Be, Mg, Zn и Cd, образующие твердые растворы замещения, всегда занимают в решетке AJ. IBV узлы металлического компонента и при этом являются акцепторами, благодаря меньшей валентности по сравнению с валентностью замещаемых атомов. В то же время примеси элементов VI группы - S, Se, Те - всегда располагаются в узлах Bv и играют роль доноров. [36]
Первые два центра обладают тригональной симметрией. В сильнолегированном примесями элементов V группы кремнии, имплантированном водородом, обнаружены пять полос поглощения, соответствующие дуплетному и триплетному обертон-ному переходам. В этом случае атом водорода находится в положении на антисвязи и слабо связан с ближайшим к донору атомом кремния. [37]
Рассмотрим на примере электронного германия методику получения р - n - перехода. В электронный германий вводят примеси элементов III группы периодической системы, сообщающих германию дырочный механизм проводимости. Вводимые примеси должны проникнуть не на всю толщу германия, а лишь на некоторую глубину. [38]
В случае кремния дырочного типа в V группе таблицы Менделеева подходящих элементов для непосредственного вплавления нет. Применяют вплавление золота либо олова с примесями элементов V группы: сурьмы, висмута, мышьяка и фосфора. Однако сурьма имеет малый коэффициент разделения в кремнии ( 0 04) и так как выделение ее идет из сплава, где ее содержание незначительно ( 2 - 3 %), то наличие исурьмы не обеспечи - 6.29. Конструкция вает хорошей эффективности эмит - перехода транзистора тера. Висмут имеет глубокие уров - П101 - ПЮЗ. [39]
На электрические свойства германия оказывают влияние различные факторы, из которых основную роль играет наличие посторонних примесей в кристаллической решетке германия. Так, примеси элементов I - III групп периодической системы вызывают в германии проводимость дырочного типа, примеси элементов V-VI групп вызывают электронную проводимость. В связи с этим с особой остротой встает вопрос об анализе металлического германия на содержание примесей различных элементов. [40]
 |
Спектр оптического поглощения кремния, легированного селеном при.| Схема электронных переходов для халькогенного центра в кремнии, занимающего узел кристаллической решетки. [41] |
Изолированный двухзарядный донор вносит в запрещенную зону два энергетических уровня, соответствующих ионизации двух электронов, которые химически не связаны с электронами внешних орбиталей соседних атомов кремния. Если один из этих электронов переходит в возбужденное состояние, то спектр возбуждения однозарядного иона будет подобен возбужденным состояниям примесей элементов V группы. [42]
 |
Температурные зависи. [43] |
Примесные атомы в решетке соединения Л1ПВУ распределяются таким образом, что локальных центров с большим избыточным зарядом не возникает. В этом аспекте в характере поведения примесей элементов II и VI групп периодической системы элементов Д. И. Менделеева не было замечено никаких аномалий: примеси элементов II группы Be, Mg, Zn и Cd, образующие твердые растворы замещения, занимают узлы металлического компонента и являются акцепторами, а примесные элементы VI группы S, Se, Те находятся в узлах В и играют роль доноров. [44]
Примесь элементов V группы ( см. табл. 1.1) и Fe-доноров, а также избыток Si приводят к проводимости п-типа и зеленой окраске; примесь элементов III группы, а также недостаток Si - к проводимости р-типа и голубой или фиолетовой ( в толстых слоях - черной) окраске. Чистые, почти стехио-метрические кристаллы карбида кремния прозрачны. Электропроводность кристаллов SiC n - типа разных политипов при Т - 300 К колеблется в широких пределах вследствие различий в структуре зоны проводимости. Из-за качественной одинаковости валентной зоны политипы SiC р-типа характеризуются сходными электрическими свойствами, в них отсутствует анизотропия электропроводности, характерная для политипов n - типа. По совокупности электронных свойств наиболее перспективна политипная модификация 4Н: большая ширина запрещенной зоны, наименьшая эффективная масса электрона, наименьшая энергия ионизации доноров и акцепторов, одна из самых высоких подвижностей электронов. [45]
Страницы: 1 2 3 4