Разная примесь

Cтраница 4

Концентрационная зависимость удельного сопротивления сильно легированных кристаллов германия - типа ( Т 300 К. [46]

Знаменательно, что пороговая концентрация п0, при которой начинает проявляться индивидуальность примеси, различается для образцов, легированных разными примесями, и определенным образом, как будет показано ниже, зависит от температуры. [47]

Содержание фосфора в образцах фосфида цинка ( % вес. [48]

Несслера оранжево-желтый осадок очень быстро переходит вследствие щелочности жидкости в смолистый осадок: 2) IB техническом продукте-фосфиде цинка возможны разные примеси; три взаимодействии с кислотами они будут выделять гидриды, например AsH3 и другие тазы, которые могут сопутствовать РНз и. В частности, СО2 и водород в щелочной среде могут также влиять на результаты анализа. Водород в щелочной среде является более энергичным восстановителем, чем в нейтральной, и может - восстанавливать образующийся в поглотителе осадок PHg3J3 до металлической ртути, что вызывает увеличение процента поглощения. Таким образом, при использовании щелочного реактива Несслера для поглощения РН3 результаты анализов получаются повышенными, в то время как применение нейтрального реактива Несслера дает результаты, близкие к результатам анализа весовым методом. [49]

Уксусная кислота-сырец, получаемая при переработке порошка, не является товарным продуктом, так как в состав ее входит очень много разных примесей. [50]

Пояснение температурной зависимости времени жизни.| Расположение Энергетических уровней ловушек захвата и схематическое изображение процесса захвата электронов и дырок.| Вероятность заполнения энергетических уровней в состоянии термодинамического равновесия ( кривая / и в неравновесном состоянии ( кривая 2 и расположение квазиуровней Ферми или уровней. [51]

Таким образом, в запрещенной зоне энергетической диаграммы полу - проводника может существовать много различных локальных энергетических уровней, связанных с наличием разных примесей. Часть из них может быть уровнями ловушек захвата, часть - уровнями рекомбина-ционных ловушек. Чтобы установить количественный критерий отличия этих энергетических уровней, введены понятия демаркационных. [52]

Диаграммы состояния. [53]

Для изготовления полупроводниковых приборов на основе теллурида кадмия во многих случаях необходимы объемные, совершенные кристаллы как чистые, так и легированные разными примесями, обладающие хорошей воспроизводимостью свойств. [54]

Страницы: 1 2 3 4