Cтраница 1
Легколетучие примеси удаляются в конденсатно-пита-тельном тракте ТЭС; значительная их доля покидает конденсаторы турбин при поддержании в них разрежения. Газы, поступающие с потоками отборного пара в регенеративные подогреватели, в процессе конденсации пара распределяются между паром и конденсатом. Часть газообразных примесей, оказавшаяся в паровой фазе, удаляется из парового пространства подогревателей по линиям отвода парогазовой смеси. На установках с различными начальными параметрами и разными типами основного оборудования способы вывода легколетучих примесей сохраняются неизменными. Пути и способы вывода нелетучих примесей определяются начальными параметрами пара и конструктивными особенностями котлов. [1]
![]() |
Пресс для натрия. [2] |
Легколетучие примеси могут быть удалены из негигроскопичных веществ при высушивании на фильтровальной бумаге или на обожженных неглазурованных глиняных плитках. Вещества, устойчивые термически, могут быть высушены также в сушильном шкафу. [3]
Легколетучие примеси конденсируются на торце графитового электрода, располо женного над стаканчиком на расстоянии 1 5 - 2 мм и охлаждаемого водой. [4]
![]() |
Осушительная колонка. [5] |
Легколетучие примеси могут быть удалены из негигроскопичных твердых веществ высушиванием на фильтровальной бумаге, термически устойчивые вещества могут быть высушены в сушильных шкафах. Последние имеют отверстие, в которое вставляют трубку с краном. [6]
![]() |
Эксикаторы. - v а - обыкновенный. 6, в - вакуум-эксикаторы.| Схема соединения вакуум-эксикатора с водоструйным насосом. / - вакуум-эксикатор. 2 - манометр. 3 - предохранительная. [7] |
Легколетучие примеси могут быть удалены лз негигроскопичных твердых веществ высушиванием на фильтровальной бумаге, термически устойчивые вещества могут быть высушены в сушильных шкафах. [8]
![]() |
Пресс для натрия.| Сушильный пистолет. [9] |
Легколетучие примеси могут быть удалены из негигроскопичных веществ при высушивании на фильтровальной бумаге или на обожженных неглазурованных глиняных плитках. Вещества, устойчивые термически, могут быть высушены также в сушильном шкафу. [10]
![]() |
Зависимость интен-сивностей аналитических линий Bi ( 1, Со ( 2, Cd ( 3, Sn, ( 4, Sb ( 5, Си ( б и Ге ( 7 От количества хрома в образце. [11] |
При определении легколетучих примесей для обогащения проб применяют метод прямого испарения. Рекомендуются следующие условия испарения: испаритель системы ФИАН; масса пробы ( в виде окиси) 100 мг; температура испарения 1500 С, длительность нагревания до температуры испарения 30 сек. Для определения малолетучих примесей используют прямое фракционное испарение пробы в дуге постоянного тока, а для легколетучих - обогащение по методу испарения. Cd, Bi, Pb, Sn и Sb испаряются в первые 5 - 20 сек. [12]
Для сохранения легколетучих примесей существенное значение имеет температура прокаливания остатка. С понижением температуры прокаливания значительно увеличивается его продолжительность и повышается опасность загрязнения золы. Некоторые исследователи прокаливают остаток при 800 С, сокращая время прокаливания, но теряя значительную часть примесей. [13]
При определении легколетучих примесей Cd, Pb, Bi, Sb и Sn в двуокиси циркония Кацков и Львов [44] с целью учета количества пробы, дозируемой в канал электрода, вводили в анализируемые образцы цинк. [14]
При хроматографировании проявляются сначала определяемые легколетучие примеси, а затем используемый растворитель. Основной нелетучий компонент остается в колонке или в испарителе. [15]