Трехвалентная примесь
Cтраница 1
Трехвалентные примеси приводят к появлению в запрещенной энергетической зоне примесных энергетических уровней, не занятых электронами. Они называются акцепторными уровнями. [1]
Трехвалентные примеси имеют энергетические уровни валентных электронов вблизи валентной зоны собственного полупроводника. [2]
Трехвалентные примеси называют акцепторными, так как они в противовес донорным примесям принимают электроны. [4]
Трехвалентные примеси имеют энергетические уровни валентных электронов вблизи валентной зоны собственного полупроводника. [5]
Атомы трехвалентной примеси принято называть акцепторами. [6]
Атомы трехвалентных примесей, обусловливающих дырочную проводимость, называются акцепторами, так как они забирают электроны из валентной зоны. При этом атомы-акцепторы становятся отрицательно заряженными ионами, жестко связанными с кристаллической решеткой полупроводника. [7]
 |
Получение в кристаллической решетке кремния свободного электрона ( а и дырки ( б. [8] |
Если введена трехвалентная примесь ( обычно алюминий), то один из четырех атомов кремния, окружающих атом этой примеси, образует с ним вместо парноэлектронной одноэлектронную связь. На рис. 7 - 15, б такая одноэлектронная связь представлена орбитой с одним расположенным на ней электроном. [9]
Рассмотрим теперь случай трехвалентной примеси замещения, например Ga в кристаллах типа Ge или Si. Атомы элементов III группы имеют лишь три валентных электрона, так что для того, чтобы укомплектовать все четыре двухэлектронные связи вокруг атома Ga, необходимо снять один электрон с какого-нибудь основного атома IV группы. В результате в кристалле образуется положительная дырка ( фиг. Чтобы перевести электрон со связи Ge Ge на связь Ga Ge, требуется совсем небольшая энергия, которую мы ниже оценим. [10]
В кристалле с трехвалентной примесью дырочная составляющая общего количества подвижных носителей заряда преобладает над электронной составляющей. Такой полупроводник называют дырочным, или полупроводником р-типа. [11]
По зонной теории, введение трехвалентной примеси в решетку кремния приводит к возникновению в запрещенной зоне примесного энергетического уровня А, не занятого электронами. Носителями тока являются лишь дырки, возникающие в валентной зоне. [12]
По зонной теории, введение трехвалентной примеси в решетку кремния приводит к возникновению в запрещенной зоне примесного энергетического уровня А, не занятого электронами. [13]
Такой кристалл германия с добавлением трехвалентной примеси называется германием типа р ( positive - положительный), поскольку он обладает избытком положительно заряженных носителей тока. Примесь называется акцепторной, так как ее атомы забирают электроны из атомов германия. Полупроводники, содержащие один из двух типов примесей, называются примесными полупроводниками. Заметим, что проводимость каждого из полупроводников типа р или п постоянна по всем направлениям, и, следовательно, такой полупроводник не обладает свойствами выпрямления. [14]
Если собственный полупровод ник легировать трехвалентной примесью, получится полупроводник дырочного типа, как показано на рис. 1.3. Трехвалентными примесями являются индий, галлий, бор и алюминий. Трехвалентный атом имеет три валентных электрона, а для формирования устойчивой ковалентной связи необходимо иметь восемь электронов в валентной зоне. Следовательно, в этом случае из-за отсутствия в примесном атоме четвертого электрона образуется вакансия. [15]
Страницы: 1 2 3