Легирующая примесь

Cтраница 3

Схемы установок различного типа для проведения процесса диффузии. [31]

Диффузия легирующих примесей в кремниевые пластины производится с поверхности этих пластин. При этом концентрация примесей получается неравномерной. На поверхности пластины концентрация примесей будет наибольшая, а по мере продвижения в глубь материала величина концентрации постепенно убывает. [32]

Роль легирующих примесей, входящих в твердый раствор, изучена мало. В большинстве своем двойные сплавы, в которых обнаружена сверхпластичность, содержат элементы с близкой температурой плавления и диффузионными характеристиками. Но имеется и много исключений из такой закономерности. [33]

Зависимость коэффициентов диффузии некоторых примесей в кремнии от температуры. [34]

Растворимость легирующей примеси в данном твердом теле является свойством этой пары веществ. Она определяет максимальную концентрацию примеси, которую можно достигнуть при данной температуре в процессе диффузии. На рис. 7 - 9 приведены кривые растворимости некоторых веществ в кремнии. [35]

Концентрацию легирующей примеси в слоях эмиттера, базы и коллектора обозначим N3, N &, NK. Говоря о концентрации носителей заряда в эмиттере, будем добавлять индекс Э, в коллекторе - индекс К, например ппоэ-равновесная концентрация основных носителей заряда ( ОНЗ) - электронов в эмиттере; рпок - равновесная концентрация неосновных носителей заряда ( ННЗ) - дырок в коллекторе. [36]

Распределение легирующей примеси по оси х различно для различных областей транзистора. [37]

Структура диффузионного транзистора ( а, распределение в ней легирующих примесей ( б и результирующее распределение примеси ( в. [38]

Распределение легирующих примесей и результирующей примеси в п - р-п - п дрейфовом транзисторе в соответствии с (2.7) изображено на рис. 2.15, б, в, где Ni ( x) - распределение акцепторной примеси, формирующей базу, a Nlo - - ее поверхностная концентрация. [39]

Добавка легирующих примесей ( никеля, хрома, ваннадия) замедляет снижение предела прочности стали с увеличением температуры. [40]

Выбор легирующей примеси и источника примеси производят с учетом ряда факторов. Примесь должна обеспечить требуемые электрофизические свойства полученного слоя полупроводника, предельная растворимость примеси в полупроводниковом материале должна превышать максимальную концентрацию заданного диффузионного профиля. Следует учитывать также коэффициент диффузии примеси в твердой фазе полупроводника. В большинстве случаев для обеспечения технологичности процесса желательно, чтобы коэффициент диффузии имел достаточно высокие значения. Иногда, например при формировании скрытых диффузионных слоев, требуются примеси с малым значением коэффициента диффузии. Важно учитывать также отношение атомных радиусов полупроводника и легирующей примеси, которое определяет механизм диффузии в кристаллической решетке и возникающие в ней напряжения. [41]

Помимо легирующих примесей для получения тонких пленок монокристаллов этих соединений, в частности, методом химического осаждения паров металлоорганических соединений, необходимы специальные реактивы и химические вещества. [42]

Кроме легирующих примесей алюминий применяется в виде проволоки для изготовления выводов. В микроэлектронике его применяют для изготовления проводящих слоев. [43]

Введение легирующих примесей приводит к возникновению дополнительных максимумов, причем чем больше концентрация примесей, тем выше интенсивность излучения. Зависимость интенсивности излучения от плотности тока инжекции и физико-химического состояния кристалла позволяет применять рекомбинационное излучение для выявления дефектов структуры, связанных с неоднородным токораспреде-гением и наличием механических дефектов. [44]

Распределение примеси ( а и равновесных температур кристаллизации ( б у границы раздела фаз в расплаве. [45]

Страницы: 1 2 3 4