Cтраница 1
Принцип работы полупроводниковых приборов основан на использовании явлений, происходящих на границе раздела двух зон полупроводника с различными типами проводимости. Рассмотрим эти явления по отношению к кристаллу германия, часто применяющемуся при изготовлении полупроводниковых приборов. [1]
Рассмотрены принципы работы наиболее распространенных полупроводниковых приборов и физические процессы в них. Показано современное состояние полупроводниковой электроники и тенденции ее развития. [2]
В ней рассмотрены принципы работы наиболее распространенных полупроводниковых приборов и физические процессы, определяющие их характеристики. Приведены конструкции, основные электрические параметры и области применения полупроводниковых приборов. Большое внима ние уделено принципам создания, разновидностям и кон структивным особенностям интегральных схем. Подробно анализируется современное состояние полупроводниковой электроники и обсуждаются тенденции ее развития. [3]
Так как в основе принципа работы полупроводниковых приборов лежит использование электронно-дырочного перехода, важное значение имела теория электронно-дырочного перехода, разработанная американским физиком Шокли в 1949 г. Первые образцы германиевых точечных транзисторов в нашей стране были изготовлены в этом же году А. В. Красиловым и С. Г. Ма-доян с сотрудниками. [4]
Так как детальное изучение принципов работы полупроводниковых приборов не является целью настоящей книги, отметим только, что в области контакта двух слоев образуется тончайшая переходная область ( р-п переход), в которой существует внутреннее электрическое поле. [5]
В книге изложены теория контактных явлений и принципы работы разнообразных полупроводниковых приборов. Для того чтобы лучше уяснить эти физические принципы и иметь возможность провести все расчеты, не отсылая читателя к оригинальным работам, в книге рассматриваются наиболее простые модели, позволяющие более четко выделить основные явления и получить окончательные формулы в простом виде. [6]
В соответствии с этим в настоящей книге наряду с рассмотрением принципов работы полупроводниковых приборов, схем с их применением и способов расчета этих схем даются основные рекомендации по конструированию, изготовлению и эксплуатации радиоэлектронной аппаратуры на полупроводниковых приборах с учетом их специфических свойств. [7]
Задачей настоящей книги и является изложение основ теории контактных явлений и принципов работы полупроводниковых приборов, использующих контактные явления. [8]
Энергетическая схема полупроводника. [9] |
Настоящий обзор должен ознакомить читателя с основами теории контактных явлений и принципами работы полупроводниковых приборов. [10]
АОКС работает в режиме демонстрации и контроля и содержит графическую и текстовую информацию, поясняющую принцип работы основных полупроводниковых приборов и устройств, а также цифровых логических схем. [11]
Оценка количественных закономерностей процессов генерации и рекомбинации необходима для понимания основных физических явлений в полупроводниках, а также для объяснения принципа работы полупроводниковых приборов. [12]