Принцип - параметрическое усиление
Cтраница 1
Принципы параметрического усиления в некоторых случаях были применены к лампам с продольным пучком типа ЛБВ. [1]
Графическая интерпретация принципа параметрического усиления приведена на фиг. Верхний график изображает напряжение сигнала на конденсаторе, на среднем графике показан процесс механического перемещения пластин конденсатора и на нижнем графике изображено нарастание напряжения на конденсаторе. [2]
Графическая интерпретация принципа параметрического усиления приведена на фиг. На верхнем графике изображено напряжение сигнала на конденсаторе, на среднем показан процесс механического перемещения пластин конденсатора и на нижнем нарастание напряжения на конденсаторе. [3]
Сверхпроводниковые усилители также основаны на принципе параметрического усиления, но в них периодически изменяется не емкость, а индуктивность колебательной системы. В сверхпроводящей пленке возникает так называемая сверхиндуктивность Lh, обусловленная взаимодействием возникающих в ней высокоэнергетических электронных пар. Индуктивность LK при определенном выборе геометрии пленки может преобладать над обычной индуктивностью L проводника. [4]
Сверхпроводниковые усилители также основаны на принципе параметрического усиления, но в них периодически изменяется не емкость, а индуктивность колебательной системы. Индуктивным элементом такого усилителя служит тонкая пленка сверхпроводника при температуре ниже Гкр. В сверхпроводящей пленке возникает так называемая сверхиндуктивность LK, обусловленная взаимодействием возникающих в ней высокоэнергетических электронных пар. Индуктивность LK при определенном выборе геометрии пленки может преобладать над обычной индуктивностью L проводника. [5]
 |
Эквивалентная схема диода Ганна. [6] |
Усилители на диодах Ганна могут работать как на эффекте отрицательного сопротивления, возникающем при переходе электронов из нижней долины в верхнюю, так и на принципах параметрического усиления с накачкой, периодически изменяющей емкость домена, которому присущи свойства конденсатора. Усилительные свойства диодов Ганна проявляются примерно в том же диапазоне частот, в каком они способны генерировать колебания; коэффициент усиления может достигать больших значений ( 40 - 50 дБ), однако высокий коэффициент шума ( до 20 дБ) мешает их использованию во входных цепях СВЧ радиоприемных устройств. [7]
 |
Схема лампы Адлера ( а, схема квадрупольной системы лампы. [8] |
Рассмотрим простейшую теорию усилителя Адлера. В лампе Адлера принцип параметрического усиления используется для получения нарастающей быстрой циклотронной волны. Усиление на быстрой циклотронной волне выгодно с точки зрения получения низкого уровня шумов. [9]
Особенностью р - га-перехода, отличающей его от обычного конденсатора, является то, что емкость С зависит от напряжения, приложенного к р - n - переходу. Эта особенность позволяет использовать полупроводниковый диод как нелинейный элемент цепи, например, для параметрического усиления. Принцип параметрического усиления легко пояснить на следующей простой схеме. [10]
Параметрический усилитель относится к категории усилителей с низким коэффициентом шума. В усилителях, в которых используются электронные лампы или полупроводниковые триоды, главным источником шума является управляемый поток электрических зарядов. Принцип параметрического усиления не связан с управлением потока зарядов, и поэтому шумы в таком усилителе резко снижаются. [11]
ПУ относится к категории усилителей о низким коэффициентом шума. В усилителях, в которых используются электронные лампы или транзисторы, главным источником шума является управляемый поток электрических зарядов. Принцип параметрического усиления не связан с управлением потоком зарядов, и поэтому шумы в таком усилителе резко уменьшаются. [12]
Страницы: 1