Принцип - фокусировка
Cтраница 1
Принцип фокусировки заключается в том, что расстояние между источником электронов О и экраном должно быть кратным шагу винтовой линии. При этом все электроны, выходящие из точки О ( под малыми углами к оси х), попадут в одну точку пересечения оси Ох с экраном. [1]
Принцип фокусировки потока электронов в узкий луч основан на законах движения электронов в однородных и неоднородных электрических и магнитных полях. Эти законы изучаются в специальном разделе физики - электронной оптике, в которой широко используется терминология оптики геометрической. [2]
Принцип фокусировки электронного луча магнитным полем поясняется рис. 7.10, где показан вид сбоку ( о) и вид сверху ( б) на силовые линии магнитного поля и траекторию движения электрона. Предположим, что электрон влетает в неоднородное магнитное поле в вертикальной плоскости под углом а. Разложим вектор скорости на две составляющие - осевую vz и радиальную иг. Аналогично разложим вектор индукции В на составляющие Bz и Вг. Когда электрон влетает в поле, имеют место неравенства: Вг С Вг и vz S vr, поэтому можно пренебречь составляющими Bz и vr, в этом случае на электрон действует сила F P qBrvz, направленная перпендикулярно плоскости pnt. [3]
Принцип фокусировки потока электронов в узкий луч основан на законах движения электронов в однородных и неоднородных электрических и магнитных полях. Эти законы изучаются в специальном разделе физики - электронной оптике, в которой широко используется терминология оптики геометрической. [4]
По принципу фокусировки и отклонения электронного луча ЭЛТ делятся на следующие группы: ЭЛТ с электростатической фокусировкой и электростатическим отклонением луча, ЭЛТ с магнитной фокусировкой и магнитным отклонением луча, ЭЛТ с электростатической фокусировкой и магнитным отклонением луча. [5]
В этом м-е-о-де широко используются принцип фокусировки по Брэггу-Брентано и регистрация с помощью счетчиков излучения. При этом система отражений получается от плоского поликристаллического образца; полученные результаты используются для определения постоянных решетки и заключения о реальной структуре материала образца. Результаты измерений могут быть также использованы для количественного фазового анализа и определения интегральной интенсивности. [6]
В этом ме-о-де широко используются принцип фокусировки по Брэггу-Брентано и регистрация с помощью счетчиков излучения. При этом система отражений получается от плоского поликристаллического образца; полученные результаты используются для определения постоянных решетки и заключения о реальной структуре материала образца. Результаты измерений могут быть также использованы для количественного фазового анализа и определения интегральной интенсивности. [7]
 |
Схема фокусировки в методе ПЛИФ. [8] |
На рис. 1.10 схематически показан принцип фокусировки флуоресценции из плоского слоя на элементы матрицы фотодиодов. Целесообразно также ввести величину Е0 EHWtyL, где I. [9]
В этом м-е о-де широко используются принцип фокусировки по Брэггу-Брентано и регистрация с помощью счетчиков излучения. При этом система отражений получается от плоского поликристаллического образца; полученные результаты используются для определения постоянных решетки и заключения о реальной структуре материала образца. Результаты измерений могут быть также использованы для количественного фазового анализа и определения интегральной интенсивности. [10]
 |
Триоды СВЧ с цилиндрическими электродами. [11] |
Для уменьшения токов управляющей сетки успешно используется принцип электронно-оптической фокусировки электронного потока. Это достигается в триодах специальным расположением электродов. [12]
Для повышения чувствительности счетчика к слабым линиям используется принцип фокусировки отраженных лучей. [13]
В осциллографах иногда применяют также оптическую схему, основанную на принципе фокусировки не раскаленной прямой нити лампочки, а ярко освещенной щели, регулируемой по ширине. Но такая система сложна и требует более мощных источников света. Ее применяют преимущественно в тех осциллографах, где используются гальванометры с индивидуальными магнитными системами, окошки которых располагаются на значительном расстоянии друг от друга. [14]
Рассмотрим особенности движения электронов в электрическом и магнитном полях, а также принципы фокусировки и отклонения электронных пучков в таких полях. [15]
Страницы: 1 2