Принцип - действие - полупроводниковый прибор
Cтраница 1
Принцип действия электронных, ионных и полупроводниковых приборов базируется на движении свободных частиц, которые благодаря своему заряду подвержены воздействию со стороны электрических и магнитных полей. [1]
В книге изложены принципы действия полупроводниковых приборов - диодов, транзисторов, резисторов, фоточувствительных и из-лучательных приборов и др.; рассмотрены основные виды приборов каждого типа; кратко описана конструкция и технология их изготовления; приведены электрические характеристики и указаны области применения приборов. [2]
Приведенное выше описание принципа действия полупроводниковых приборов содержит ряд упрощений. Главное упрощение заключается в том, что не рассматривалась роль процессов рекомбинации электронов и дырок. Между тем именно рекомбинация определяет многие характерные черты электронных явлений в полупроводниках. [3]
В настоящей главе рассматриваются принципы действия полупроводниковых приборов различных типов, свойства и характеристики их, некоторые особенности их применения. [4]
Таким образом, хотя принцип действия вакуумных и полупроводниковых приборов существенно различен и явления, возникающие в них, имеют различную физическую природу, расчеты могут быть сведены к единой методике. [5]
В этой книге описаны устройство и принцип действия электронных, ионных и полупроводниковых приборов. Всем, кому в практической деятельности придется сталкиваться с устройствами автоматики и промышленной электроники, необходимо знание параметров и свойств различных приборов, так как без этого невозможно правильное их применение. Промышленностью различных стран в настоящее время выпускаются десятки тысяч различных типов электронных, ионных и полупроводниковых приборов в год, а в эксплуатации их насчитываются уже миллиарды. [6]
В книге освещаются физические основы электроники, принципы действия электронных, ионных и полупроводниковых приборов и основные области их применения. Достаточно подробно изложены основные методы анализа и расчета электронных схем. [7]
В следующей главе мы ознакомимся с физическими основами и принципами действия полупроводниковых приборов - диодов и транзисторов, без которых было бы невозможно создание малогабаритных переносных приемников. [8]
Техническая электроника представлена в этой Книге, как учение о физических основах, устройстве и принципах действия электронных, ионных и полупроводниковых приборов. Техническая электроника находится в стадии интенсивного развития, поэтому обилие накопленных знаний вызывает необходимость представить весь материал в двух томах. [9]
 |
Положение области пространственного заряда ( на переход подано обратное смещение. а при отсутствии каналов, б при образовании каналов. [10] |
Эта модель не учитывает влияния поверхностных зарядов и соответствует тем случаям, которыми мы пользовались при рассмотрении принципа действия полупроводниковых приборов в предшествующих параграфах. Во многих случаях эта модель остается справедливой. Однако при некоторых условиях у поверхности одного из объемов ( электронного или дырочного) может образоваться тонкий инверсный слой. [11]
 |
Схематическое устройство и работа полупроводникового диода. [12] |
Теперь, когда ты имеешь некоторое представление о явлениях, происходящих в полупроводниках, тебе нетрудно будет понять принцип действия полупроводниковых приборов. [13]
В книге изложены основы физики полупроводниковых приборов и физические явления в полупроводниках в объеме, необходимом для понимания принципа действия полупроводниковых приборов ( диодов, транзисторов, фоточувствительных приборов, полупроводниковых резисторов и др.) и процессов, происходящих в них. Рассмотрены основные типы полупроводниковых приборов и материалы для их изготовления. Дана классификация полупроводниковых приборов, кратко описаны конструкция и технология их изготовления, приведены электрические характеристики и указаны области применения. [14]
Принцип действия полупроводниковых приборов основан на явлении односторонней проводимости, возникающей при контакте полупроводника с металлом или при контакте двух полупроводников. [15]
Страницы: 1 2