Принцип - действие - транзистор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
А по-моему, искренность - просто недостаток самообладания. Законы Мерфи (еще...)

Принцип - действие - транзистор

Cтраница 4


Вследствие того, что они достигают n - р перехода, к которому приложено смещение в обратном направлении, возникает усиление по напряжению. В этом и состоит принцип действия транзисторов как усилителей.  [46]

Таким образом, эмиттер выпускает электроны, а коллектор их собирает. В этих названиях очень ярко отражается принцип действия транзистора.  [47]

Полевой транзистор относится к группе так называемых униполярных транзисторов. Название это показывает, чтс в принципе действия транзисторов этого типа лежит использование носителей заряда только одного знака: электронов или дырок. Это связано с тем, что в таких транзисторах не используется явление инжекции, как это имеет место в обычных, иначе говоря, биполярных транзисторах.  [48]

Канальный транзистор относится к группе так называемых униполярных транзисторов. Название это показывает, что в принципе действия транзисторов этого типа лежит использование носителей заряда только одного знака: электронов или дырок. Это связано с тем, что в этих транзисторах не используется явление инжекции, как это имеет место в биполярных транзисторах. Отсюда видно, что принцип действия униполярных транзисторов должен в корне отличаться от принципа действия биполярных транзисторов.  [49]

50 Разрез структуры МДП-транзистора с индуцированным каналом. [50]

Поэтому в соответствии с законом электро статической индукции в полупроводнике вблизи границы раздела образуется поверхностный заряд. На управлении величиной этого заряда поперечным электрическим полем основан принцип действия транзисторов с изолированным затвором.  [51]

Ранее было установлено, что ток коллектора транзистора зависит от тока эмиттера. Коэффициент пропорциональности а между токами / г и / э представляет собой комплексный коэффициент передачи тока эмиттера, что полностью согласуется с принципом действия транзистора.  [52]

53 Схематическое изображение конструкции и схема включения полево-го транзистора с р-п переходами.| Полевой транзистор о изолированным затвором. [53]

На рис. 7.22 приведены схематическое изображение конструкции полевого транзистора с р-п переходами и схема его включения. Тонкий слой полупроводника типа п ( или р), ограниченный с Двух сторон электронно-дырочными переходами, называется каналом. Принцип действия транзисторов с каналом типа п или р аналогичен; различие заключается лишь в полярности напряжений источников питания. Включение канала в электрическую цепь обеспечивается с помощью двух омических электродов, один из которых ( И) называется истоком, а второй ( С) - стоком. Выводы И, С и 3 соответствуют ( в порядке перечисления) катоду, аноду и сетке электровакуумного триода или эмиттеру, коллектору и базе обычного биполярного транзистора.  [54]



Страницы:      1    2    3    4