Cтраница 2
В чем состоит принцип действия фотодиода. [16]
Принцип действия фотодиода на основе выпрямляющего перехода металл - полупроводник аналогичен принципу действия фотодиода с р-п-переходом. Однако есть некоторые различия, которые сказываются на характеристиках и параметрах. При этом если энергия кванта света превышает высоту потенциального барьера, то возбужденные электроны из металла могут перейти в полупроводник через потенциальный барьер ( рис. 9.22), обеспечив тем самым возникновение фототока. Поэтому длинноволновая граница спектральной характеристики фотодиодов на основе контакта металл - полупроводник определяется высотой потенциального барьера на этом контакте и расположена при более длинных волнах электромагнитного спектра. [17]
Принцип действия фотодиода на основе выпрямляющего перехода металл - полупроводник аналогичен принципу действия фотодиода с р-п-переходом. Однако есть некоторые различия, которые сказываются на характеристиках и параметрах. При этом если энергия кванта света превышает высоту потенциального барьера, то возбужденные электроны из металла могут перейти в полупроводник через потенциальный барьер ( рис. 9.22), обеспечив-тем самым возникновение фототока. Поэтому длинноволновая граница спектральной характеристики фотодиодов на основе контакта металл - полупроводник определяется высотой потенциального барьера на этом контакте и расположена при более длинных волнах электромагнитного спектра. [18]
Принцип действия такого приемника проникающей радиации и частиц высокой энергии аналогичен принципу действия фотодиода. Приемник проникающей радиации или частиц высокой энергии на основе монокристаллов полупроводника с р-п-переходом используют при подаче на него обратного напряжения. Поглощение в полупроводнике частиц высокой энергии или проникающей радиации приводит к возникновению новых неосновных носителей заряда и, следовательно, к увеличению обратного тока. [19]
Принцип действия такого приемника проникающей радиации и частиц высокой энергии аналогичен принципу действия фотодиода. Приемник проникающей радиации или частиц высокой энергии на основе монокристаллов полупроводника с р-я-переходом используют при подаче на него обратного напряжения. Поглощение в полупроводнике частиц высокой энергии или проникающей радиации приводит к возникновению новых неосновных носителей заряда и, следовательно, к увеличению обратного тока. [20]
Принцип действия фотодиода на основе выпрямляющего контакта металл - полупроводник аналогичен принципу действия фотодиода с р - - переходом. Однако есть некоторые различия, которые сказываются на характеристиках и параметрах. При этом, если энергия кванта света превышает высоту потенциального барьера, то возбужденные электроны из металла могут перейти в полупроводник через потенциальный барьер ( рис. 10.7), обеспечивая тем самым возникновение фототока. [21]
Принцип действия такого приемника проникающей радиации и частиц высокой энергии аналогичен принципу действия фотодиода. Приемник проникающей радиации или частиц высокой энергии на основе монокристаллов полупроводника с р-тг-переходом используют при подаче на него обратного напряжения. Поглощение в полупроводнике частиц высокой энергии или проникающей радиации приводит к возникновению новых неосновных носителей заряда и, следовательно, к увеличению обратного тока. [22]